揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約
總投資5億！揚(yáng)杰科技，SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
近日，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱揚(yáng)杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。
該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。
審核編輯：劉清
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原文標(biāo)題：總投資5億！揚(yáng)杰科技，SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
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