肖特基勢壘二極管（SBD）是一種基于金屬-半導體接觸的二極管，而非傳統的PN結。這種特殊的結構賦予了SBD獨特的電氣特性，使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應用。

Si-SBD（硅肖特基勢壘二極管）不是基于傳統的PN結，而是利用硅與稱為勢壘金屬的金屬之間的接合產生的肖特基勢壘。這種特殊的結構使得Si-SBD的特性受到勢壘金屬種類的影響。不同的勢壘金屬會導致Si-SBD的性能有所差異，因此它們在不同的應用中具有不同的適用性。下表總結了不同勢壘金屬的特性及其適用的應用。在表中，標記為“×”的項目表示與其他項目相比，該特性較差或不適合該應用。

請注意，上表僅為示例，實際的勢壘金屬種類和特性可能會有所不同。在選擇Si-SBD時，設計師應根據具體的應用需求和工作條件，仔細考慮勢壘金屬的特性以及Si-SBD的性能。例如，對于需要快速切換和高溫穩定性的應用，應選擇具有優秀切換速度和高溫穩定性的勢壘金屬。而對于低頻應用，可以選擇正向壓降低但切換速度較慢的勢壘金屬。通過合理的選擇，可以確保Si-SBD在特定應用中發揮出最佳的性能。

低正向壓降：SBD在導通狀態下的電壓降通常較低，這是其最突出的特性之一。典型的正向壓降值在0.3至0.8伏特之間，這取決于電流的大小和器件的設計。低正向壓降意味著在導通狀態下的功耗較低，這對于提高電源轉換效率尤其重要。

快速切換能力：由于SBD中存儲的電荷較少，其反向恢復時間非常短。這使得SBD能夠在高頻切換應用中表現出色，如開關電源和逆變器。快速切換減少了功率損耗，有助于提高整體系統效率。

高熱穩定性：SBD通常具有較好的熱穩定性，這是因為金屬-半導體接觸不受溫度變化的影響與PN結二極管相比。因此，SBD能夠在較寬的溫度范圍內穩定工作，適用于高溫環境和高可靠性要求的場合。

盡管SBD具有許多優點，但它們也有一些局限性。例如，它們的反向擊穿電壓通常不如傳統的PN結二極管高，這限制了它們在高電壓應用中的使用。此外，由于金屬-半導體接觸的特性，SBD可能對靜電放電（ESD）更為敏感，因此在處理和使用時需要特別小心。