MOS在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。

MOS主要損耗也對應這幾個狀態：開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。

只要把這些損耗控制在MOS承受規格之內，MOS即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同MOS這個差距可能很大。

Mos開關原理 ：Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻），內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。

靜電放電和高溫

靜電放電是指在MOS管與其他元件或人體之間發生的電荷交換現象，如果靜電放電能量過大，會導致MOS管的擊穿或損壞。

MOS管在高溫環境下工作時，將降低其電性能，進而引起燒壞。同時，高溫也會損壞MOS管的封裝材料，導致漏電等問題。

因此，要保證焊接點的質量和穩定性。避免出現虛焊、冷焊等現象。也要關注散熱問題，通過加裝散熱片、風扇等散熱裝置來降低高溫問題。

MOS管控制端柵極串聯電阻是否過大？

雖然MOS管屬于電壓控制型器件，但是該電阻不能省，串聯該電阻起到隔離保護作用。

若該電阻太大，因為MOS管會有結電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達不到飽和開通狀態，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內即可。

若為正反轉控制電機驅動電路，如下圖4個二極管不能省，這4個二極管屬于電機線圈續流二極管，用于保護控制電路，若控制管使用的是MOS管，其內部一般會有寄生二極管，不需要外接。

MOS管體二極管的緩慢反向恢復

諸如特斯拉線圈之類的高 Q 諧振電路能夠在其電感和自電容中存儲大量能量。

在某些調諧條件下，當一個MOS管關閉而另一個器件打開時，這會導致電流“續流”通過 MOS管的內部體二極管。

這個原本不是什么問題，但當對面的MOS管試圖開啟時，內部體二極管的緩慢關斷（或反向恢復）就會出現問題。

與MOS管 自身的性能相比，MOS管 體二極管通常具有較長的反向恢復時間。如果一個 MOS管的體二極管在對立器件開啟時導通，則類似于上述擊穿情況發生“短路”。

這個問題通常可以通過在每個MOS管周圍添加兩個二極管來緩解。

首先，肖特基二極管與MOS管源極串聯，肖特基二極管可防止MOS管體二極管被續流電流正向偏置。其次，高速（快速恢復）二極管并聯到MOS管/肖特基對，以便續流電流完全繞過MOS管和肖特基二極管。

這確保了MOS管體二極管永遠不會被驅動導通，續流電流由快恢復二極管處理，快恢復二極管較少出現“擊穿”問題。

雪崩破壞

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。

在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。

典型電路：