3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。

美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)。美光在演講中表示 DRAM 節(jié)點和沉浸式光刻分辨率問題，名為“Chop”的層數(shù)量不斷增加，這就意味著添加更多的曝光步驟，來取出密集存儲器陣列外圍的虛假結(jié)構(gòu)（dummy structures）。

美光公司表示由于光學(xué)系統(tǒng)本身性質(zhì)，這些 DRAM 層的圖案很難用光學(xué)光刻技術(shù)進行印刷，而納米打印方式可以用更精細(xì)的方式打印出來，且鑒于納米印刷技術(shù)應(yīng)用成本是沉浸式光刻技術(shù)的五分之一，因此是非常不錯的解決方案。

納米印刷技術(shù)并不能在內(nèi)存芯片生產(chǎn)的所有階段取代傳統(tǒng)的光刻技術(shù)，兩者并非純粹的競爭關(guān)系，但該技術(shù)至少可以降低單個技術(shù)操作的成本。

佳能 2023 年 10 月公布 FPA-1200NZ2C 納米壓印光刻（NIL）半導(dǎo)體設(shè)備。佳能社長御手洗富士夫表示，納米壓印光刻技術(shù)的問世，為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進芯片開辟了一條新的途徑。

佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)經(jīng)理巖本和德表示，納米壓印光刻是指將帶有半導(dǎo)體電路圖案的掩模壓印在晶圓上，只需一個印記，就可以在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬蓮?fù)雜的 2D 或 3D 電路圖案，因此只需要不斷改進掩模，甚至能生產(chǎn) 2nm 芯片。

審核編輯 黃宇