場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。

場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道

場效應(yīng)管按溝道分可分為N溝道和P溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。

按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道，其次是增強(qiáng)型的P溝道，結(jié)型管和耗盡型管幾乎不用。

n溝道場效應(yīng)管（N-channel FET）和p溝道場效應(yīng)管（P-channel FET），它們之間的區(qū)別在于導(dǎo)電通道的類型及極性。

1. N溝道場效應(yīng)管（N-channel FET）：

- 導(dǎo)電通道類型： N溝道場效應(yīng)管的導(dǎo)電通道是n型半導(dǎo)體構(gòu)成的，在介質(zhì)中需要接通陽極（source）和陰極（drain）之間的電流，需要施加正電壓到柵極（gate）上。

- 極性： N溝道場效應(yīng)管的柵極對源極的介質(zhì)結(jié)構(gòu)呈負(fù)電壓。

2. P溝道場效應(yīng)管（P-channel FET）：

- 導(dǎo)電通道類型： P溝道場效應(yīng)管的導(dǎo)電通道是p型半導(dǎo)體構(gòu)成的，在介質(zhì)中需要接通陰極和陽極之間的電流，需要施加負(fù)電壓到柵極上。

- 極性： P溝道場效應(yīng)管的柵極對源極的介質(zhì)結(jié)構(gòu)呈正電壓。

區(qū)分N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管的方法通常包括以下幾點(diǎn)：

- 引腳標(biāo)識： 查看FET器件的引腳，通常會有標(biāo)明N溝道或P溝道的標(biāo)識。

- datasheet： 查看器件的datasheet，其中會明確指出器件的類型是N溝道還是P溝道。

- 測試方法： 可以通過外部測試電路，如萬用表等儀器，對器件進(jìn)行測試來確認(rèn)器件類型。

MOS管導(dǎo)通條件

N溝道：Ug》Us時(shí)導(dǎo)通。（簡單認(rèn)為）Ug=Us時(shí)截止。

P溝道：Ug《us時(shí)導(dǎo)通。（簡單認(rèn)為）ug=us時(shí)截止。《 p=“”》

注意一點(diǎn)，MOS管做開關(guān)器件的時(shí)候，輸入輸出一定不能接反，接反的寄生二極管一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，MOS本身就失去開關(guān)的作用了。

審核編輯：黃飛