石英晶體

電氣參數(shù)介紹

石英晶體

概念

晶體通常指的是石英晶體（Quartz Crystal），它具有穩(wěn)定的諧振頻率特性。晶體里面的晶片材料是由石英晶棒切割而來，主要分子材料是二氧化硅（SiO2）。“壓電效應(yīng)”是石英晶片所具有的物理特性，所謂的壓電效應(yīng)，是指該物質(zhì)因彈性形變而使內(nèi)部電子向表面移動，形成交變的電場，再由交變的電場而產(chǎn)生機械形變的反復(fù)過程。晶體在諧振時，就是壓電效應(yīng)的作用，在電路中，發(fā)生固有頻率的諧振，起到穩(wěn)定頻率的作用。

電氣參數(shù)

標(biāo)稱頻率

Nominal Frequency

石英晶體振蕩產(chǎn)生的周期性信號的頻率，晶體的頻率大小取決于晶片厚度和晶片尺寸，晶片越薄，振蕩頻率就越高，單位用KHz、MHz表示。

振蕩模式

Oscillation Mode

基頻AT1、泛音AT3

封裝

Holder Type

晶體的尺寸大小。

提供SMD1612/2016/2520/3225/5032/6035/7050等片式封裝，插件分為HC-49S和假貼片HC-49SMD等。

常溫頻差

Frequency Tolerance

在某一指定負(fù)載電容下的諧振頻率，與標(biāo)稱頻率在25℃±2℃的溫度下的頻率偏差,單位用ppm表示。

激勵功率

Drive Level

在電路穩(wěn)定工作中提供給晶體的驅(qū)動功率值，單位用μW表示。

負(fù)載電容

Load Capacitance

相對于指定頻率的負(fù)載電容值。同一晶體設(shè)置的負(fù)載電容不同測試的頻率也不一樣，在制作或使用時必須指定負(fù)載電容，單位通常用pF表示。

諧振電阻

Effective Resistance

串聯(lián)共振頻率下的石英晶體的電阻值，單位用Ω表示。

靜電容

Shunt Capacitance

靜態(tài)電容C0。對同一頻率點來說其值大小與電極尺寸設(shè)計有關(guān)，成正比關(guān)系，單位用pF表示。

激勵功率依賴性

Drive Level Dependency

MaxR-MinR在指定激勵功率范圍內(nèi)，測得的最大電阻與最小電阻之間的差值，單位用Ω表示。

溫度頻差

Temperature Drift

石英晶體在不同溫度下諧振工作穩(wěn)定的頻率與25℃下的最大偏差值。這一特性是衡量晶振在溫度變化時頻率變化程度的指標(biāo)，較低的頻率溫度穩(wěn)定度意味著晶振在不同溫度條件下更為穩(wěn)定，對于一些對頻率精確性要求較高的應(yīng)用，如通信、導(dǎo)航、精密測量等，這是一個重要的性能指標(biāo)。單位用ppm表示。

寄生響應(yīng)

Spurious Response

在指定頻率范圍內(nèi)，用12.5Ω測試座量測時,寄生振蕩相較于主振點之間振幅差值。單位用dB表示。

工作溫度范圍

Operating Temperature Range

石英晶體在規(guī)定的公差內(nèi)工作的溫度范圍。通常有-40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃、-40℃～＋125℃。

存儲溫度范圍

Storage Temperature Range

石英晶體在未使用情況下儲存的溫度范圍。通常在-55℃～＋125℃。

絕緣阻抗

Insulation Resistance

晶體功能腳與金屬外殼之間的電阻值。單位用Ω表示。

年老化率

Aging

在所有其它條件都恒定不變的情況下，晶振的頻率仍會隨著時間推移而發(fā)生的漂移，這種長期漂移是由晶體元件和振蕩電路的其它元器件緩慢變化造成的，即晶振隨時間變化而引起的頻率變化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。

SCTF星通時頻專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售系列石英晶體及振蕩器產(chǎn)品二十載，致力于成為全球用戶值得信賴的專業(yè)頻率控制元器件廠商。在產(chǎn)品更新?lián)Q代快速發(fā)展的今天，始終堅持以客戶為中心，視質(zhì)量為生命的價值觀，深入了解客戶的真實需求和痛點，為客戶提供產(chǎn)品選型及周邊電路運用解決方案。

審核編輯：黃飛