3 月 7 日?qǐng)?bào)道,SK 海力士為了保持在高帶寬內(nèi)存(HBM)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì),預(yù)計(jì)到 2024 年投資超 10 億美元以增強(qiáng)韓國(guó)境內(nèi)的測(cè)試和封裝實(shí)力。預(yù)估消息顯示,SK 海力士今年總額將達(dá) 105 億美元的資本支出。
彭博社表示,測(cè)試和封裝在總費(fèi)用中的占比達(dá)到了 10%,足見(jiàn) SK 海力士對(duì)該業(yè)務(wù)的重視程度。IT之家進(jìn)一步披露,此項(xiàng)任務(wù)交給了 Lee Kang-Wook 負(fù)責(zé),他擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),曾在三星電子任職期間,擅長(zhǎng)將多種半導(dǎo)體材料融合并開發(fā)新型互聯(lián)技術(shù)。
Lee Kang-Wook的觀點(diǎn)是,未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 50 年將關(guān)注芯片封裝技術(shù),結(jié)束長(zhǎng)期依賴硅加工相關(guān)組件的階段。他效力于 HBM2E 內(nèi)存芯片包裝技術(shù)的研發(fā),正是此處的技藝精湛,使 SK 海力士成為英偉達(dá)的重要AI芯片供應(yīng)商。
值得注意的是,Lee Kang-Wook早在 2002 年起便領(lǐng)導(dǎo)堆疊半導(dǎo)體元件層間互連技術(shù)的研發(fā)。在此過(guò)程中,他打造出的技術(shù)為此后 HBM 內(nèi)存芯片的問(wèn)世鋪平道路,最新的 HBM 內(nèi)存芯片由 12 個(gè)堆積層垂直相連。
據(jù)了解,2013 年向市場(chǎng)推出 HBM 的 SK hynix 以及 AMD,在此后的兩年時(shí)間里一直獨(dú)樹一幟,直至 2015 年年末,三星才推出 HBM2。而現(xiàn)在,SK hynix正聯(lián)合日本企業(yè)共同開發(fā)更先進(jìn)的 HBM 存儲(chǔ)器芯片的垂直互連技術(shù)。二月底,三星宣稱已經(jīng)成功研發(fā) 12 層 HBM3E 芯片,單個(gè)堆棧最高可提供 36GB 的內(nèi)存。與此同時(shí),美光科技亦公布 8 層 HBM3E 內(nèi)存,單個(gè)堆棧容量達(dá) 24GB。
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