三星計劃利用英偉達AI技術提升芯片良率
在半導體市場的激烈競爭中，三星電子正尋求新的突破以縮小與競爭對手臺積電的差距。據EToday的最新報告顯示，三星決定采納英偉達的先進“數字孿生”技術，以提升芯片生產的效率和質量。
此項戰略舉措無疑是對市場需求和技術發展趨勢的積極響應。通過引入英偉達的尖端技術，三星有望在生產過程中實現更高的精度和穩定性，進而提升芯片的良品率。這不僅有助于三星在半導體領域鞏固其地位，還可能為其帶來新的競爭優勢和創新動力。
展望未來，三星與英偉達的合作或將開啟半導體行業的新篇章，推動整個行業向更高水平邁進。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27063瀏覽量
216501 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15856瀏覽量
180933 -
英偉達
+關注
關注
22文章
3749瀏覽量
90863
發布評論請先 登錄
相關推薦
英偉達為提升RTX 50系列顯卡良率,推遲上市計劃
）差異導致的芯片翹曲及系統潛在故障問題。為解決這一問題，英偉達已著手重新設計GPU芯片的頂部金屬層和凸點結構，旨在提升產品
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規模生產并向英偉
傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成
近日，據韓國媒體報道，三星在其1b nm（即12nm級）DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前，該制程的良率仍低于業界一般目標的8
三星HBM研發受挫，英偉達測試未達預期，如何滿足AI應用GPU的市場需求？
據DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭，但在英偉
三星HBM芯片因發熱和功耗問題影響測試，與英偉達合作暫時擱淺
這是三星首次公開承認未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產品，需“依據客戶需求進行優化”，并強調正與客戶緊密合作以提升
三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露，芯片因發熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代
三星3納米良率不足60%
三星近年來在半導體制造領域持續投入，并力爭在先進制程技術上取得突破。然而，據韓媒報道，三星在3納米制程上的良率問題似乎仍未得到有效解決，這對
三星計劃采用英偉達“數字孿生”技術以提升芯片良率
據EToday的一份最新報告，全球科技巨頭三星正在計劃測試英偉達Omniverse平臺的“數字孿生”技術，旨在提高
三星突破4nm制程良率瓶頸，臺積電該有危機感了
三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經將其新一代FSD芯片
工商網監
評論