三星強化HBM工作團隊為永久辦公室，欲搶占HBM3E領域龍頭地位?
據(jù)悉，三星計劃將高帶寬內(nèi)存（HBM）研究部門調(diào)整至芯片分部下，作為常規(guī)化的機構運作。韓國媒體引述知情人士的話報道稱，集團內(nèi)存事業(yè)部總裁李正培已下達此番變動指令。如若成行，轉(zhuǎn)型后的辦公室將涵蓋設計、解決方案等專項HBM研發(fā)隊伍，旨在穩(wěn)定良品產(chǎn)量。
這一結構性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。三星的HBM特別小組源自集團芯片分部首席執(zhí)行官Kyung Kye-hyun的提議。
將特別小組升級為常設辦事處則表示三星有意推動在HBM3E市場的主導地位增強，目前其在此領域超越了SK海力士和美光。此外，美光近期也推出了自家的HBM3E產(chǎn)品，共8層堆疊；與此同時，三星也在同日宣布推出12層堆疊版本的HBM3E。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關注
關注
38文章
7452瀏覽量
163606 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
948瀏覽量
38432 -
HBM
+關注
關注
0文章
373瀏覽量
14707 -
HBM3E
+關注
關注
0文章
78瀏覽量
232
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設計1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達H200系列應用。同時，
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
仍在進行中，尚未取得決定性進展。盡管如此，此番風波再次凸顯了HBM3E作為三星進軍英偉達供應鏈關鍵“鑰匙”的戰(zhàn)略地位。
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即，營收貢獻將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。據(jù)
三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導體領域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)模化生產(chǎn)階段，預計在
傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證
三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進一步的檢驗。
三星HBM3E芯片驗證仍在進行，英偉達訂單分配備受關注
業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導致
三星電子組建HBM4獨立團隊，力爭奪回HBM市場領導地位
具體而言，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代
三星與AMD達成HBM3E采購大單，總金額達4萬億韓元
三星方面表示，預計今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計劃于下半年開始生產(chǎn)相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達到驚人的12
三星電子HBM存儲技術進展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信
SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲領域的領先地位
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
三星電子擬設立HBM開發(fā)辦公室
三星電子近期計劃設立專門的HBM（高帶寬存儲器）開發(fā)辦公室，旨在進一步強化其在HBM領域的競爭力
三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。
三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM
工商網(wǎng)監(jiān)
評論