瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證
3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET芯片，具備業界較低的損耗水平，且驅動電壓為15V~18V，兼容性更好。
這3款產品導通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅動電壓尖峰。這3款產品的型號及主要參數如下表：
瞻芯電子第二代SiC MOSFET
瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發的， 自2023年9月份發布第一款第二代SiC MOSFET產品以來，至今已有十幾款采用同代技術平臺的量產產品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品，對比上一代產品，通過優化柵氧化層工藝和溝道設計，讓器件的比導通電阻降低約25%，能進一步降低器件損耗，提升系統效率。
產品應用
瞻芯電子采用TO247-4封裝的車規級第二代650V SiC MOSFET系列產品，因其具備高速開關，且低損耗，以及良好的驅動兼容性等優秀特性，而能為功率變換系統提供高頻、高效率的解決方案，主要適用于下列場景：
電機驅動
光伏逆變器
車載直流變換器（DC/DC）
車載充電機(OBC)
審核編輯：劉清
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
142文章
6937瀏覽量
211760 -
導通電阻
+關注
關注
0文章
347瀏覽量
19716 -
SiC
+關注
關注
29文章
2655瀏覽量
62091 -
驅動電壓
+關注
關注
0文章
78瀏覽量
13312 -
瞻芯電子
+關注
關注
0文章
46瀏覽量
340
原文標題：瞻芯電子再推3款車規級第二代650V SiC MOSFET產品
文章出處：【微信號：瞻芯電子，微信公眾號：瞻芯電子】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
基本半導體碳化硅MOSFET通過車規級認證，為汽車電子注入新動力
近日，中國半導體行業的佼佼者——基本半導體公司，再次在科技領域邁出堅實步伐。該公司自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過了AEC-Q101車
多款產品通過車規認證，國產SiC MOSFET加速上車
潮，令800V平臺、SiC電驅開始打進20萬內的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內廠商又有多款SiC MOSFET
蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證
蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車
瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規認證
出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術的SMPD塑封半橋模塊產品，并順利通過了車
芯塔電子SiC MOSFET通過車規級認證， 成功進入新能源汽車供應鏈！
近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-
發表于 12-06 14:04
?447次閱讀
工商網監
評論