近日，中國華為公司數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品線總裁周躍峰博士在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)上介紹了即將推出的磁電存儲(chǔ)設(shè)備“OceanStor Arctic”。該設(shè)備基于磁電磁盤（MED）技術(shù)。據(jù)稱，這種技術(shù)可以降低總連接成本和功耗，第一代產(chǎn)品定位為大容量檔案存儲(chǔ)，機(jī)架容量超過10PB，功耗小于2KW。華為提供的數(shù)字顯示，MED技術(shù)可以提供比傳統(tǒng)硬盤和磁帶存儲(chǔ)更低的成本和功耗。

華為的磁電磁盤（MED）是對磁存儲(chǔ)介質(zhì)的重大創(chuàng)新。第一代 MED 主要是大容量硬盤，機(jī)架容量將超過 10 PB，功耗小于 2 kW。對于第一代 MED，我們將其主要定位為檔案存儲(chǔ)。我們計(jì)劃 2025 年上半年在海外市場發(fā)布。尚不清楚其尺寸，不一定會(huì)采用與希捷、東芝和西部數(shù)據(jù)目前的近線存儲(chǔ)硬盤（nearline storage drives）相同的 3.5 英寸外形尺寸。

目前，關(guān)于OceanStor Arctic的詳細(xì)信息仍然保密，但該技術(shù)可能會(huì)對存儲(chǔ)市場帶來重大改變。

據(jù)悉，磁電存儲(chǔ)器是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，它利用磁電阻效應(yīng)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）不同，MRAM使用磁性隧道結(jié)（MTJ）作為存儲(chǔ)單元，通過改變磁化方向來記錄二進(jìn)制數(shù)據(jù)。

磁電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢在于它在具有非易失性的同時(shí)在速度、功耗、成本上較為折中，因而得以具有廣泛的應(yīng)用前景。MRAM有望根據(jù)不同的帶寬需求逐步替代現(xiàn)有的不同類型的存儲(chǔ)器，如 SRAM、DRAM以及 Flash 等，從而在消除各級存儲(chǔ)器之間存在的互聯(lián)延遲同時(shí)降低存儲(chǔ)器的功耗。

目前，SOT-MRAM 還有潛力構(gòu)建存算一體架構(gòu)，有望解決傳統(tǒng)的馮·諾依曼計(jì)算體系中存在的存儲(chǔ)墻與功耗墻的問題，推動(dòng)大數(shù)據(jù)、人工智能以及云計(jì)算的持續(xù)發(fā)展。MRAM的應(yīng)用并不局限于傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系，還能夠擴(kuò)展到其他諸多領(lǐng)域。

現(xiàn)在還尚不清楚 MED 產(chǎn)品的其它信息，這是一項(xiàng)全新的技術(shù)。華為在聲明中表示這是“磁盤”（disk）而非“硬盤”（drive），意味著它很可能會(huì)旋轉(zhuǎn)，有軌道和讀寫頭。未來，華為的磁電磁盤將大有可為。

審核編輯：劉清