三星電子近期計劃設立專門的HBM(高帶寬存儲器)開發辦公室,旨在進一步強化其在HBM領域的競爭力。目前,關于新設辦公室的具體團隊規模尚未明確,但業界普遍預期,現有的HBM工作組將得到升級和擴充,以適應更高層次的研發需求。
一旦升級完成,這個新的開發辦公室將擁有專門針對HBM設計的技術團隊和提供綜合解決方案的團隊,從而確保三星電子在HBM技術上保持領先。此外,該辦公室將由一名副總裁級別的高級管理人員擔任負責人,其豐富的經驗和深厚的行業背景將為HBM項目的順利推進提供有力保障。
通過設立這一開發辦公室,三星電子不僅展現了其對于HBM技術的重視,也向外界傳遞了其在高端存儲器市場持續發力的決心。未來,隨著HBM技術的不斷成熟和市場的擴大,三星電子有望在這一領域取得更多突破,進一步鞏固其在全球存儲器市場的領導地位。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15856瀏覽量
180934 -
存儲器
+關注
關注
38文章
7455瀏覽量
163624 -
HBM
+關注
關注
0文章
374瀏覽量
14708
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星電子或向英偉達供應先進HBM
近日,韓國三星電子公司透露了一個引人矚目的消息,有可能在不久的將來向美國的人工智能巨頭英偉達提供其先進的高帶寬存儲器(HBM)。這一消息無疑為科技界帶來了新的期待。 值得一提的是,三星
三星電子加速推進HBM4研發,預計明年底量產
三星電子在半導體技術的創新之路上再邁堅實一步,據業界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星
三星HBM技術逆襲:NVIDIA認證助力業績飆升
在8月1日公布的最新財報中,三星電子再次展示了其在高帶寬內存(HBM)領域的強勁表現。數據顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50
三星電子重組架構,加速HBM技術創新
在半導體技術日新月異的今天,三星電子再次展現了其作為行業領導者的前瞻視野與戰略布局。據韓國媒體最新報道,三星電子已正式啟動了組織重組計劃,旨在通過整合與優化資源,構建一個全新的高帶寬內
英偉達否認三星HBM未通過測試
英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM(高帶寬內存)的傳聞進行了澄清。他明確表示,英偉達仍在認證三星提供的HBM內存,并否認了三星
三星電子否認HBM產品未達標,多家合作公司保證質量
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲(HBM)產品未達英偉達品質標準的傳聞,三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題,并稱三星的
英偉達CEO贊譽三星HBM內存,計劃采購
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星
三星強化HBM工作團隊為永久辦公室,欲搶占HBM3E領域龍頭地位?
這一結構性調整體現出三星對于存儲器領域HBM產品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機,并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
三星電子發布業界最大容量HBM
三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著
三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大
三星電子在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室
近日,三星電子宣布在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室,以加強其在存儲技術領域的領先地位。該實驗室的成立將專注于
IBM要求經理搬到辦公室附近 結束居家辦公
求經理搬到辦公室附近;到辦公室辦公,或者到客戶所在地報道去見客戶。而且IBM已經明確要求所有美國經理必須每周至少三天到辦公室
三星在硅谷建立3D DRAM研發實驗室
三星電子,全球領先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設立新的研究實驗室,專注于開發新一代3D DRAM技術。這個實驗
三星計劃在硅谷開設實驗室
三星電子近日宣布,在美國硅谷設立了一個新的研究實驗室,隸屬于Device Solutions America (DSA),旨在開發新一代3D
三星電子在硅谷設立新實驗室,開發下一代3D DRAM芯片
三星電子近日宣布,已在美國硅谷開設一個新的研發(R&D)實驗室,專注于下一代3D DRAM芯片的開發。這一新實驗室將由
評論