電子發燒友網報道（文/黃晶晶）據報道，三星電子在半導體制造領域再次邁出重要步伐，計劃增加“MUF”芯片制造技術，用于生產HBM（高帶寬內存）芯片。但是三星在隨后的聲明中稱，關于三星將在其HBM芯片生產中應用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技術的傳言并不屬實。

三星在HBM生產中目前主要采用非導電薄膜（NCF）技術，而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封裝工藝。報道稱之所以要采用MR-MUF是為了解決NCF工藝的一些生產問題。幾位分析師也表示，三星的 HBM3 芯片生產良率約為 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生產良率約為 60-70%。

NCF技術（非導電薄膜技術），是使用熱壓縮薄膜來連接芯片。可以減少堆疊芯片之間的空間，從而在緊湊的HBM芯片組中堆疊多層芯片。

MR-MUF則是將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態的保護材料，并進行固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。這種技術為半導體制造帶來了更高的集成度和性能提升，尤其在處理大數據和復雜計算任務時，能夠顯著提升芯片的運行效率和穩定性。



盡管在封裝上各自路徑不同，不過三星加快了HBM的研發步伐。目前三星已經發布最新的HBM3E 12H產品，將HBM3E DRAM芯片堆疊至12層，是迄今為止容量最大（36GB）的HBM產品。HBM3E 12H提供了高達每秒1280千兆字節（GB/s）的最高帶寬。

三星HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致。三星電子稱，已經開始向客戶提供該芯片的樣品，并計劃在2024年上半年批量生產HBM3E 12H產品。

美光科技也于日前宣布，已開始量產HBM3E，其24GB 8H HBM3E產品將供貨給英偉達，并將應用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU，該GPU將于2024年第二季度開始發貨。美光HBM3E可提供超過1.2 TB/s內存帶寬，與競爭產品相比功耗降低約30%。根據產品規劃，美光還將推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。另有消息稱SK海力士今年3月量產全球首款HBM3E存儲器。

從進度上來看，三星的HBM3E的量產時間略晚于SK海力士和美光科技。但是今年HBM三大家的競爭已經全面轉向HBM3E。那么產能也將是一個重要部署。三星電子此前表示，今年將把HBM供應能力保持在行業最高水平，將產能提升至去年的2.5倍，以滿足對人工智能芯片不斷增長的需求。

SK海力士也同樣做好了提升HBM產能的準備。SK海力士2024 年計劃投資超過 10 億美元，擴大在韓國的測試和封裝能力。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長（Lee Kang-Wook）表示，SK海力士正在將大部分新投資投入到推進MR-MUF和TSV（硅通孔）技術中。