SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
韓國SK海力士公司于3月19日發(fā)布公告，宣布其超高性能AI存儲器新品HBM3E已進入批量生產(chǎn)階段，并將于月底起向客戶出貨。這距離其首次公開報道HBM3E研發(fā)成功已有約七個月時間。
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
為應(yīng)對需要處理海量數(shù)據(jù)的AI系統(tǒng)需求，該半導(dǎo)體器件主要由密集排列的AI芯片和存儲器構(gòu)成，SK海力士預(yù)計，在各種針對性的性能測試中，HBM3E有望成為最佳解決方案。
HBM3E實現(xiàn)的1.18TB/s的數(shù)據(jù)處理速率，能夠在一秒內(nèi)處理超過230部高清電影（按照每個5GB計算），使其在AI存儲器所需的各項性能指標中均表現(xiàn)卓越。
除此之外，SK海力士HBM部門副總裁柳成洙指出，HBM3E的大規(guī)模生產(chǎn)使公司在業(yè)界領(lǐng)先的AI存儲器產(chǎn)品組合得到豐富，他表示說：“依托HBM部門的驕人業(yè)績和多年積累的客戶合作伙伴關(guān)系，SK海力士將繼續(xù)穩(wěn)固其AI存儲整體供給商的地位。”
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7452瀏覽量
163598 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
948瀏覽量
38426 -
HBM3
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
74瀏覽量
144 -
HBM3E
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
78瀏覽量
228
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層H
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了
SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)
SK海力士近日宣布了一項重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)
SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲
SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層
SK海力士擴大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對HBM3E需求
據(jù)韓國媒體報道，為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品，同時進一步
SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%，達到大約80%范圍的目標良率
據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達80%
早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術(shù)團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK
SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E
HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn)，AI性能提升30倍，成本能耗降低96%
同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨
SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達
近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Gener
SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器
在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能
SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器，領(lǐng)先三星
在嚴格的9個開發(fā)階段后，當前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取
工商網(wǎng)監(jiān)
評論