CSTIC 2024聚焦半導體技術(shù)，紫光國芯展示SeDRAM突破存儲墻方案
2024年，備受矚目的集成電路科學技術(shù)大會（CSTIC 2024）在上海國際會議中心盛大召開。此次大會由SEMI和IEEE-EDS聯(lián)合主辦，吸引了眾多半導體技術(shù)領域的專家學者和企業(yè)代表。
在會議中，西安紫光國芯半導體股份有限公司副總裁左豐國發(fā)表了一場關(guān)于SeDRAM?技術(shù)的精彩演講。他詳細介紹了紫光國芯如何利用這一創(chuàng)新技術(shù)，在芯片級別上突破了“存儲墻”的難題。
SeDRAM?技術(shù)憑借其獨特的堆疊嵌入式DRAM設計，能夠為算力芯片提供驚人的內(nèi)存訪問帶寬，高達每秒數(shù)十TB，同時保持高達數(shù)十GB的存儲容量。這一技術(shù)的核心在于利用異質(zhì)集成工藝，將DRAM存儲陣列晶圓和邏輯晶圓進行3D堆疊，實現(xiàn)金屬層的直接互連。與傳統(tǒng)HBM或DDR內(nèi)存方案相比，SeDRAM?技術(shù)省去了PHY-PHY互連結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)了超大帶寬、超低功耗和低延遲的數(shù)據(jù)互連。
此次演講不僅展示了紫光國芯在半導體技術(shù)領域的領先實力，也為整個行業(yè)提供了全新的思考角度和解決方案。
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