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低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品的理想之選:內(nèi)置薄膜電容器的基板

加賀富儀艾電子 ? 來源:加賀富儀艾電子 ? 2024-03-29 14:26 ? 次閱讀

內(nèi)置薄膜電容器的基板憑借其自身的優(yōu)勢(shì)和在低功耗產(chǎn)品中的應(yīng)用特性,被稱為是低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品的理想之選。

對(duì)于低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品來說,減少能源消耗和保持穩(wěn)定的性能是關(guān)鍵。薄膜電容器的高絕緣阻抗和介質(zhì)損耗小的特性,有助于減少電流泄漏和能量損失,從而提高能源利用效率。

電源系統(tǒng)的管理對(duì)省電型高性能半導(dǎo)體的穩(wěn)定運(yùn)行極為重要,而旁路電容器則是穩(wěn)定電源不可或缺的元件。旁路電容器是穩(wěn)定電源所不可或缺的,它在高頻范圍內(nèi)需要有較高的電容值。加賀富儀艾電子代理的品牌FICT株式會(huì)社的 GigaModule-EC 是一種薄膜型電容器,具有較低的連接電感和較高的電容。GigaModule-EC 將薄膜電容器(TFC)內(nèi)置到基板中,從而降低連接電感并最大限度地減少安裝空間。

在高頻范圍內(nèi)高度有效

TFC 內(nèi)置于半導(dǎo)體附近的基板中,作為電容器層,并通過多個(gè)通孔與半導(dǎo)體相連,以降低連接電感。

電容值可自由設(shè)定

電容層的電容可通過蝕刻設(shè)置,可選擇兩種類型的電容器——

普通型:1.0 μF/cm2

高電容類型:2.0 μF/cm2

有效利用安裝區(qū)域

電路板內(nèi)置 TFC,減少了表面貼裝元件的數(shù)量。

窄間距可實(shí)現(xiàn) Via 連接和通過,減少對(duì)路由性的影響。

采納實(shí)例

SPARC64 處理器

SPARC64TM XII

- 最高頻率:4.25GHz

- 內(nèi)核數(shù):12 核

- I/O 帶寬:64 GB/s

cd0fdb02-ed94-11ee-a297-92fbcf53809c.png

SPARC64TM XII 截面照片

- 電容:1.0 μF/cm2

- TFC 數(shù)量 :2 套

兼容的產(chǎn)品

GigaModule-2EC:內(nèi)置核心層電路板

cd3b5cb4-ed94-11ee-a297-92fbcf53809c.png

GigaModule-4EC:內(nèi)置在無芯板中

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有效性驗(yàn)證

內(nèi)置 TFC 可有效降低電源阻抗。

驗(yàn)證條件:GigaModule-4EC,8 層,TFC=2.0μF/cm2,分析 FTCP Signal Adviser-PI

cd7ad6e6-ed94-11ee-a297-92fbcf53809c.png



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品的理想之選——內(nèi)置薄膜電容器的基板

文章出處:【微信號(hào):Fujitsu_Semi,微信公眾號(hào):加賀富儀艾電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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