4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術(shù)創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展，在國內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產(chǎn)出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業(yè)客戶帶來重大收益。因此，SiC晶圓走向8英寸是業(yè)界公認(rèn)的發(fā)展趨勢。

SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導(dǎo)致成本無法有效降低。先進(jìn)SiC鍵合襯底技術(shù)可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進(jìn)行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長晶襯底，與長晶技術(shù)一同推進(jìn)SiC材料成本顯著降低，實現(xiàn)高效地將過剩的傳統(tǒng)生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化為新質(zhì)生產(chǎn)力。

青禾晶元表示，通過技術(shù)創(chuàng)新，進(jìn)一步鞏固了青禾晶元在該領(lǐng)域的引領(lǐng)地位，有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進(jìn)程，為產(chǎn)業(yè)界客戶提供更具競爭力的價格。

青禾晶元集團(tuán)是國際上少數(shù)掌握全套先進(jìn)半導(dǎo)體襯底鍵合集成技術(shù)的半導(dǎo)體公司之一，致力于將國際前沿的半導(dǎo)體材料融合技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，獲得了多家知名產(chǎn)業(yè)方和社會資本的廣泛認(rèn)可。

青禾晶元半導(dǎo)體成立于2020年7月，公司采用具有自主知識產(chǎn)權(quán)的先進(jìn)技術(shù)，可實現(xiàn)半導(dǎo)體材料生長、異質(zhì)融合與先進(jìn)封裝，有效的解決先進(jìn)半導(dǎo)體材料或器件良率低、成本高、性能受限等痛點問題。

公司致力于成為領(lǐng)先的晶圓異質(zhì)集成技術(shù)與方案的提供商，面向第三代半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝、功率模塊集成等應(yīng)用領(lǐng)域，專注于新型半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn)制造和先進(jìn)技術(shù)研究。公司核心團(tuán)隊包含教授級專家、海外高層次人才、市場戰(zhàn)略專家、資深生產(chǎn)專家和管理專家等。從2020年至今相繼投資設(shè)立了專注于滿足市場需求的鍵合復(fù)合襯底生產(chǎn)線、技術(shù)研發(fā)中心等平臺。

青禾晶元的Emerald-SiC產(chǎn)品是基于公司創(chuàng)新的先進(jìn)晶圓鍵合與剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)實現(xiàn)的高/低質(zhì)量SiC復(fù)合襯底材料,可以有效降低現(xiàn)有SiC襯底材料的成本,并在一定程度上提高器件性能。Emerald-SiC的推廣與普及將進(jìn)一步打開SiC器件的應(yīng)用場景,助力SiC行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

青禾晶元的Obsidian-POI產(chǎn)品是基于公司創(chuàng)新的先進(jìn)晶圓鍵合與剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)實現(xiàn)的壓電復(fù)合襯底材料，可以有效提升聲表面波器件性能,可以廣泛應(yīng)用于5G手機(jī)與基站等應(yīng)用場景。公司的創(chuàng)新鍵合技術(shù)和產(chǎn)品可實現(xiàn)晶圓、芯片的室溫或低溫鍵合,降低熱應(yīng)力影響。

以鍵合技術(shù)為核心，依托其它半導(dǎo)體加工領(lǐng)域的核心技術(shù)如離子注入、表面處理、清洗、檢測、修復(fù)等，公司面向晶圓級材料異質(zhì)集成、三維堆疊、先進(jìn)封裝、超精密加工等領(lǐng)域提供技術(shù)服務(wù)和整體解決方案，可實現(xiàn)多種材料和芯片的異質(zhì)異構(gòu)融合。

審核編輯：劉清