據報道，韓國SK海力士公司今天宣布，已與全球知名芯片制造商臺灣積體電路股份有限公司達成共識，未來將緊密合作研發面向下一代人工智能應用的高密度內存HBM4，預計將于2026年正式投放市場。

SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續引領HBM技術創新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源，SK海力士將進一步提升存儲器產品性能，實現新的突破。

此次合作的重點在于優化HBM封裝內最底層的基礎裸片性能。HBM由多個DRAM裸片堆疊在基礎裸片之上，再通過TSV技術進行垂直連接。基礎裸片同時連接到GPU，負責對HBM進行控制。

SK海力士過去的HBM產品如HBM3E均采用自家制程工藝制造基礎裸片，然而從HBM4起，公司計劃轉向使用臺積電的先進邏輯工藝。超精細工藝的基礎裸片可帶來更多功能，從而使公司能夠生產出性能和效率更為出色的定制化HBM產品。

此外，雙方還將共同優化SK海力士的HBM產品與臺積電的CoWoS技術相結合，以滿足HBM相關客戶的需求。

CoWoS是臺積電獨特的制程工藝，通過在特殊基板上搭載并連接GPU、xPU等邏輯芯片和HBM，形成2.5D封裝技術。

SK海力士AI Infra社長金柱善表示，與臺積電的深度合作不僅有助于推出性能卓越的HBM4，還將推動與全球客戶的開放式合作。未來，公司將致力于提升客戶定制化存儲器平臺的競爭力，鞏固其在“面向AI的存儲器全方位供應商”中的地位。

臺積電業務開發和海外營運辦公室資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示，臺積電與SK海力士長期以來保持著穩定的合作伙伴關系。借助最新一代的邏輯工藝和HBM產品，兩家公司有望為市場提供領先的AI解決方案。展望未來，他們期待通過緊密合作，為共同客戶提供最佳整合產品，助力AI創新。