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ESD的3種模型和RF PA ESD保護方案介紹

芯樸科技XinpleTek ? 來源:芯樸科技XinpleTek ? 2024-04-24 10:12 ? 次閱讀

芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內置IEC ESD保護電路設計,無需外加額外ESD保護電路情況下,都通過IEC ESD 8kV測試標準,保障抗ESD可靠性,在產線組裝和大批量出貨后確保無IEC ESD損壞。

射頻器件直接外接天線,ESD性能顯得尤為突出,下文會介紹ESD分類和原理介紹。

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1

ESD 是什么

1.ESD:Electro-Static Discharge,ESD的中文名是靜電釋放

2.什么是靜電:靜電是一種處于靜止狀態的電荷,當電荷聚集在某個物體上或表面上就形成了靜電;靜電產生的兩大原因:摩擦起電和感應起電(電磁感應

3.ESD 的特點:長時間聚積、高電壓、低電量、作用時間短的特點

4.ESD 對元器件的危害:

IC中的每個元件的面積非常小,每個元件的寄生電容也就非常小,所以,少量的靜電電荷就會產生很高的靜電電壓,而且每個元件的功率耐量通常也很小,所以,靜電放電就很容易破壞IC。

2

ESD通常的3種模型

人體模型(HBM)

機器模型(MM)

充電器件放電模型(CDM)

2.1

HBM電路模型

c8a9a834-01dc-11ef-a297-92fbcf53809c.png

2.2

機器模型(MM)

c8c1e3c2-01dc-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg

2.3

充電器件放電模型(CDM)

c8ddd956-01dc-11ef-a297-92fbcf53809c.png

2.4

HBM、MM及CDM波形對比

c8f46946-01dc-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg

? CDM的放電速度是HBM或MM的100倍。

?CDM的峰值電流可以是HBM脈沖的40倍

3

ESD和EOS 失效對比

3.1

ESD & EOS 失效的時間曲線

c8fe7288-01dc-11ef-a297-92fbcf53809c.png

3.2

ESD & EOS 失效尺寸

c91a70b4-01dc-11ef-a297-92fbcf53809c.png

ESD

EOS

4

ESD 等級的定義

4.1

HBM 等級

Classification Voltage Range(V)
0Z < 50
0A 50 to < 125
0B 125 to < 250
1A 250 to < 500
1B 500 to < 1000
1C 1000 to < 2000
2 2000 to < 4000
3A 4000 to < 8000
3B ≥ 8000

4.2

MM 等級

Classification Voltage Range(V)
M1 < 100
M2 100 to < 200
M3 200 to < 400
M4 ≥ 400

4.3

CDM 等級

Classification Voltage Range(V)
C1 < 125
C2 125 to < 250
C3 250 to < 500
C4 500 to < 1000
C5 1000 to < 1500
C6 1500 to < 2000
C7 ≥ 2000

5

ESD射頻應用趨勢

未來射頻PA或者LFEM內置于ESD保護電路通常與匹配網絡共同設計,降低客戶外圍增加ESD電路的成本和難度。

審核編輯:劉清

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原文標題:ESD模型和RF PA ESD保護方案介紹

文章出處:【微信號:gh_5500866a60cf,微信公眾號:芯樸科技XinpleTek】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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