臺積電升級4nm N4C工藝，優化能效與降低成本
4 月 26 日消息，臺灣半導體龍頭企業臺積電推出最新 4nm 級別的生產工藝 N4C，旨在降低成本，提高設計能效，以此增強現有的 5nm 級別的生產工藝。
在近日舉辦的 2024 年北美技術研討會上，業務發展副總裁張凱文發表講話稱：“盡管我們的 5nm 和 4nm 工藝尚未完全成熟，但從 N5 到 N4 的光學微縮密度已提升 4%，且晶體管性能仍將持續加強。”
此外，他還宣布臺積電將為 4nm 技術引入 N4C 工藝，使客戶能夠簡化掩模，改良標準單元和 SRAM 等基礎 IP 設計，從而進一步降低整體產品級擁有成本。
N4C 工藝是在 N4P 工藝技術的基礎上進行升級，通過重新設計標準單元和 SRAM 單元、調整設計規則及減少掩模層數，與 N4P 相比，成本最高可降低 8.5%。
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