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Ti60F100 內外flash操作方案

XL FPGA技術交流 ? 來源:XL FPGA技術交流 ? 作者:XL FPGA技術交流 ? 2024-05-20 16:42 ? 次閱讀

有客戶認為Ti60F100內部flash容量比較小,只有16Mb,需要外掛flash.這里我們提供了內部flash和外部flash分別操作的方案。

該程序是通過SOC操作4線的外部flash和內部flash.程序先經過外部flash的擦除,寫入和讀出操作,再經過外部flash的擦除,寫入和讀出操作,每次讀出后會進行數據的比較以判斷寫入和讀出的數據是否一致。

硬件方案如下:

66ec3f9c-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.jpg

由于使用的RSICV是softjtag操作,所以使用了兩個下載器。在硬件設計外外掛一片64Mb的flash。

66f8e99a-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

外部flash管腳分配

flash管腳 FPGA pin FPGA name flash管腳
Flash_cs_n A4 GPIOT_P_01 CS#
Flash_cck J2 GPIOL_N_01_CCK SCLK
Flash_cdi0 H2 GPIOL_P_03_CDI0 SI
Flash_cdi1 H1 GPIOL_N_03_CDI1 SO
Flash_cdi2 G4 GPIOL_P_05 WP#
Flash_cdi3 G3 GPIOL_N_05 HOLD#RESET#

IO的連接方案如下:

內flash與外部flash除片選信號分開外,對于4線flash,IO[3:2]是分開的,其余信號都是共用。SOC操作flash時,我們通過一個GPIO來控制flash的選擇

66feae34-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

可能會有人有疑問為什么內外flash的管腳能夠共用呢?因為內部flash的管腳也拉到GPIO上面的原因。如下圖SSL_N,CCK,CDI0,1和都是與內部flash相通的。

6706ed10-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

外部flash的data2,data3及cs_n的接口配置。

IO
Configure
ext_flash_cs_n ext_flash_data2 Ext_flash_data3
Mode outout inout Inout
I/O Standard 1.8V lvcmos 1.8V lvcmos 1.8V lvcmos
IN OUT OE IN OUT OE
Connection Type normal normal - - normal - -
Register Option register register register register Register Register register
Clock Pin Name soc_clk soc_clk soc_clk soc_clk Soc_clk soc_clk Soc_clk
Pull Option Weak pullup None - - None -
Drive Strenght 12mA - 4mA - - 4mA -
Enable Fast Slew Rate - - - - - - -
IO GPIOT_P_01 GPIOL_P_05 GPIOL_N_05

添加SPI flash block,如下圖,使能Enable Register Interface, Read/Write Width設置為4。

67271b12-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

FPGA通過GPIO來控制操作內部與外部flash,如下圖,通過gpio_0來控制選擇內部flash還外部flash,int_flash_select為高,表示選擇內部flash,為低則選擇外部flash。

672e991e-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

調試

程序經過擦除-->寫入-->讀出操作后,內存0x20000的數據為下圖所示。

67401b94-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

程序經過擦除-->寫入-->讀出操作后,內存0x20000的數據為下圖所示。

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