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三星擬應(yīng)用金屬氧化物抗蝕劑(MOR)于DRAM EUV光刻工藝

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-30 15:09 ? 次閱讀

據(jù)韓國(guó)媒體TheElec報(bào)導(dǎo),三星已著手在下一代DRAM極紫外線(xiàn)(EUV)光刻工藝中引入金屬氧化物抗蝕劑(MOR)技術(shù)。

據(jù)悉,MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠(PR)解決方案,有望替代現(xiàn)今先進(jìn)芯片光刻工藝中的化學(xué)放大膠(CAR)。然而,CAR在提升PR分辨率、增強(qiáng)抗蝕能力及降低線(xiàn)邊緣粗糙度上的表現(xiàn)已無(wú)法滿(mǎn)足當(dāng)前晶圓制造的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

因此,三星計(jì)劃在第6代10納米DRAM(1c DRAM)中采用MOR技術(shù),并在六至七層運(yùn)用EUV PR。預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品將在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此外,三星還計(jì)劃從多家供應(yīng)商處采購(gòu)EUV MOR光刻膠材料,包括Inpria、杜邦、東進(jìn)半導(dǎo)體以及三星SDI公司均在進(jìn)行相關(guān)研發(fā)與測(cè)試工作。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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