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昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來(lái)源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-05-11 10:15 ? 次閱讀

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝,可以有效提升電流能力,滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。

推出兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET新產(chǎn)品,標(biāo)志著昕感科技在大電流低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)方面取得新的突破,進(jìn)一步加速推動(dòng)新能源領(lǐng)域中功率器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

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■N2M120013PP0產(chǎn)品導(dǎo)通特性及阻斷特性

昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品推薦使用-3/+15V驅(qū)動(dòng)?xùn)艍?/strong>,滿足IGBT應(yīng)用電路中的+15V驅(qū)動(dòng)要求,便于電力電子系統(tǒng)更新?lián)Q代。同時(shí),降低柵極電壓可以緩解柵極電應(yīng)力,提升器件的可靠性。

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■N2M120013PP0產(chǎn)品閾值電壓-溫度曲線

昕感科技通過(guò)器件結(jié)構(gòu)的綜合優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)15V柵壓驅(qū)動(dòng)和高閾值電壓的雙重突破。新產(chǎn)品在25℃室溫下閾值電壓可達(dá)3.3V,在175℃高溫下仍可達(dá)2.4V。高閾值電壓特性能夠有效降低應(yīng)用中的誤開(kāi)啟概率,避免應(yīng)用端器件和系統(tǒng)失效。

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昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn),部分產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。其中,1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格,模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn),致力于成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先和具有國(guó)際影響力的功率半導(dǎo)體變革引領(lǐng)者。



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:昕感科技發(fā)布SiC MOSFET新品

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