本文介紹了碳化硅片比較重要的參數(shù)。

碳化硅襯底片到客戶端驗(yàn)證主要測試什么項(xiàng)目，比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

Stacking Sequence：堆砌順序。SiC宏觀上都是由硅原子和碳原子以1:1的比例構(gòu)成，但原子層的排列順序不同，則會(huì)形成了不同的晶體結(jié)構(gòu)。因此碳化硅有著許多不同多晶型，如3C-SiC，4H-SiC，6H-SiC等，分別對應(yīng)的堆砌順序?yàn)椋篈BC，ABCB，ABCACB等。

Mohs Hardness：莫氏硬度。確定襯底的硬度，硬度影響加工難易程度和耐磨性。

Density：密度，影響襯底的機(jī)械強(qiáng)度和熱性能。

Thermal Expansion Coefficient：熱膨脹系數(shù)，指的是襯底在溫度升高一攝氏度時(shí)，其長度或體積相對于原始長度或體積的增加比例。襯底和外延層在溫度變化下的配合情況，影響器件的熱穩(wěn)定性。

Refraction Index ：折射率，對于光學(xué)應(yīng)用，折射指數(shù)是設(shè)計(jì)光電器件的關(guān)鍵參數(shù)。

Dielectric Constant：介電常數(shù)，影響器件的電容特性。

Thermal Conductivity：熱導(dǎo)率，對高功率和高溫應(yīng)用至關(guān)重要，影響器件的冷卻效率。

Band-gap：帶隙，指半導(dǎo)體材料中價(jià)帶頂端和導(dǎo)帶底端之間的能量差。這個(gè)能量差決定電子能否從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶。寬帶隙材料需要更高的能量才能激發(fā)電子躍遷。

Break-Down Electrical Field：擊穿電場，半導(dǎo)體材料可以承受的極限電壓。

Saturation Drift Velocity：飽和漂移速度，載流子在半導(dǎo)體材料中施加一定電場后能夠達(dá)到的最大平均速度。當(dāng)電場強(qiáng)度增加到一定程度時(shí)，載流子的速度不會(huì)再隨電場的進(jìn)一步增強(qiáng)而增加，此時(shí)的速度稱為飽和漂移速度。