近日，日本市場研究機構富士經濟發布的報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢與技術趨勢》，深度分析了功率半導體晶圓市場現狀及其發展前景。

報告預測，2024年，全球功率半導體市場將較去年增長23.4%，達到2813億日元。盡管受庫存調整影響，硅功率半導體硅片市場略有下降，但得益于各大廠家產能提升，預計SiC裸片銷量將同比增長達56.9%，超硅片市場。

展望未來，伴隨功率半導體需求持續上漲，預計市場規模將逐步擴大。尤其是汽車電動化推動下，SiC裸片有望成為市場主要驅動力，硅片亦有望擺脫產量調整影響。同時，GaN晶圓直徑增大及氧化鎵晶圓量產等新進展，預示著2035年市場規模將擴增至10，763億日元，為2023年的4.7倍。

盡管當前功率半導體市場尚處起步階段，但諸如金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等前沿技術正積極研發，其實際應用令人期待。

報告指出，近年來，隨著功率半導體需求攀升，晶圓直徑不斷加大。除轉向300mm硅晶圓外，預計自2025年起，8英寸（200mm）SiC裸晶圓市場將迎來爆發式增長。此外，6英寸（150mm）GaN晶圓和氧化鎵晶圓也在加緊研發中，以滿足功率半導體市場需求。

然而，現階段硅功率半導體主要依賴8英寸晶圓供應，預計未來8英寸晶圓占比仍將保持在60%以上（按晶圓數量計算）。300mm晶圓日益廣泛應用于IGBT和MOSFET，隨著汽車和電氣設備領域需求增長，其采用率預計將繼續提高，未來除特定器件外，8英寸和300mm晶圓將分別占據主導地位。

另據報道，目前SiC裸片以6英寸為主，預計該狀況將維持一段時間，但8英寸晶圓市場預計將于2025年啟動，部分樣品已開始出貨，預計到2035年，8英寸晶圓將占全部SiC裸晶圓（按晶圓數量計）的13.3%。相比之下，傳統4英寸晶圓預計僅在中國和日本等少數地區得到應用，未來市場規?；驅⒅饾u萎縮。