應該有可以回答的上來的，但是大部分應該是回答不上來。標題的回答也不對。

計算機內存里面分這么幾種數據

存在SRAM里面，嗯？內存？對也不對，大家覺得內存條應該很快了吧？不，不快。

我的電腦里面有三種cache，可以看到L1最小，L3最快

大小

量相差很大

這是我自己電腦的實測，最慢的反而是內存，算完是58.49G/s,L1居然到了2K G這個速度，L3是內存的大概3倍多。看時間L1和內存的時間是100倍。

就先記?。篎LASH用來存儲程序的，SRAM是用來存儲運行程序中的中間變量。

然后SRAM有個別的名字叫緩存，這聽懂了吧？

SRAM是靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。

RAM掉電數據會丟失，RW-data是非0初始化的數據，已初始化的數據需要被存儲在掉電不會丟失的FLASH中，上電后會從FLASH搬移到RAM中。

SRAM是訪問時間短的片上存儲器，DRAM是訪問時間長的片外存儲器。因此SRAM 比DRAM 快。

DRAM 的存儲容量更大，而SRAM 的尺寸更小。SRAM很貴，而DRAM 很便宜。

DRAM簡單，電容充電就是有1了

讀取的時候還得一個放大器讀取？

電容這玩意兒漏電啊，要不停的刷新，不然一會兒就沒電荷了

SRAM，是兩個與門一個RS觸發器，1bit的儲存確實很復雜

要保證上下輸入不一致，還得加一個二極管取反，這東西就是鎖存器了

可以看到應該是有兩塊SDRAM

大概是這樣的

LPDDR4是新一代面向移動設備的低功耗內存，它屬于SDRAM家族的存儲器產品。

SDRAM是同步動態隨機存取存儲器的縮寫，而SRAM是同步隨機存取存儲器的縮寫。它們的最大區別在于，SDRAM必須被外部時鐘同步刷新，而SRAM則不需要刷新。 雖然SRAM速度更快，讀寫時間也更短，但SRAM的成本較高，所以在存儲器容量較小的情況下，通常使用SRAM，而對于大容量存儲器，則使用SDRAM。 同步（Synchronous ）是指內存工作需要同步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準 動態（Dynamic ）是指存儲陣列 需要不斷的刷新來保證數據不丟失 隨機（Random ）是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行 數據讀寫SDRAM具有空間存儲量大、讀寫速度快、價格相對便宜等優點。 然而由于SDRAM內部利用電容來存儲數據，為保證數據不丟失，需要持續對各存儲電容進行刷新操作；同時在讀寫過程中 需要考慮行列管理、各種操作延時等，由此導致了其控制邏輯復雜的特點。 SDRAM 內部可以理解為一個存儲陣列，表格中的每一個單元格可以類比為存儲陣列的單個存儲單元。若想要實現存儲陣列中的某一存儲單元的數據讀寫操作，我們要通過行地址(Row Address)和列地址 (Column Address)(先行后列)精確定位到這一存儲單元，進而進行數據的讀寫操作，這就是所謂的隨機地址存取.

就是這樣

我找了一個FSMS接口的圖看看

這里翻出ESP32的手冊看看

片內SRAM：大?。?12 KB 關系：片內SRAM = IRAM (192KB ） + DRAM（ 328KB )IRAM ：作用：存儲關鍵代碼。 1.中斷處理程序。注冊中斷處理程序時使用了 ESP_INTR_FLAG_IRAM，則中斷處理程序必須要放入 IRAM。 2.可將一些時序關鍵代碼放入 IRAM，以減少從 flash 中加載代碼造成的相關損失。 3.以上兩點為鏈接器自主操作，官方也提供接口，可以通過程序來聲明函數，可以將 IRAM_ATTR 宏用作屬性，直接將程序存儲在這部分空間。 函數中的字符串或常量可能沒有自動放入 RAM 中，這時可以使用 DRAM_ATTR 屬性進行標記，或者也可以使用鏈接器腳本方法將它們自動放入 RAM 中。

void IRAM_ATTR gpio_isr_handler(void* arg) { const static DRAM_ATTR uint8_t INDEX_DATA[] = { 45, 33, 12, 0 }; const static char *MSG = DRAM_STR("I am a string stored in RAM"); }DRAM：作用兩個： 非常量靜態數據（.data 段）和零初始化數據（.bss 段）由鏈接器放入內部 SRAM 作為數據存儲。 這部分空間的使用是由鏈接器在對項目代碼編譯鏈接時，根據程序內容自動使用?？臻g大小隨程序內部使用情況擴張。 官方也提供接口，可以通過程序聲明變量，直接使用這部分空間?？梢詫?__NOINIT_ATTR 宏用作屬性，從而將數據放入 .noinit 部分。放入該部分的值在啟動時不會被初始化，在軟件重啟后也會保持值不變。

最后我還測試了一下這個GPU

審核編輯：彭菁