全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,開發(fā)出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack?”,共4款產(chǎn)品(750V 2個型號:BSTxxxD08P4A1x4,1,200V 2個型號:BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE pack?的功率密度高,并采用ROHM自有的引腳排列方式,有助于解決牽引逆變器面臨的小型化、效率提升和減少工時等主要課題。
近年來,在致力于實現(xiàn)無碳社會的進程中,汽車的電動化發(fā)展迅速,這促進了更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)的開發(fā)。另一方面,作為關(guān)鍵器件備受關(guān)注的SiC功率器件卻面臨著難以同時減小尺寸并降低損耗的難題。對此,ROHM開發(fā)出TRCDRIVE pack?,可以解決動力系統(tǒng)中的這一課題。
TRCDRIVE pack?是牽引逆變器驅(qū)動用SiC封裝型模塊的專用商標,標有該商標的產(chǎn)品利用ROHM自有的結(jié)構(gòu),更大程度地擴大了散熱面積,從而實現(xiàn)了緊湊型封裝。另外,新產(chǎn)品還搭載了低導(dǎo)通電阻的第4代SiC MOSFET,實現(xiàn)了是普通SiC封裝型模塊1.5倍的業(yè)界超高功率密度,非常有助于xEV逆變器的小型化。
此外,該模塊在模塊頂部配備了“Press fit pin”方式的控制用信號引腳,因此只需從頂部按壓柵極驅(qū)動器電路板即可完成連接,有助于減少安裝工時。不僅如此,還通過盡可能擴大主電流布線中的電流路徑和采用雙層布線結(jié)構(gòu),降低了電感值(5.7nH),從而有助于降低開關(guān)時的損耗。
該產(chǎn)品雖然是模塊產(chǎn)品,但目前已經(jīng)確立了類似于分立產(chǎn)品的量產(chǎn)體系,與以往普通的SiC殼體型模塊相比,產(chǎn)能提高了約30倍。新產(chǎn)品將于2024年6月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格:75,000日元/個,不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)和藍碧石半導(dǎo)體宮崎工廠(日本宮崎縣),后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京都府)。如需樣品或了解相關(guān)事宜,請聯(lián)系ROHM代理商AMEYA360或通過ROHM官網(wǎng)的“聯(lián)系我們”垂詢。
<產(chǎn)品陣容>
關(guān)于TRCDRIVE pack?的產(chǎn)品陣容,ROHM計劃在2024年內(nèi)開發(fā)出封裝尺寸(Small / Large)和安裝模式(TIM:heat dissipation sheet / Ag Sinter)不同的共12款產(chǎn)品。此外,目前ROHM正在開發(fā)模塊內(nèi)配有散熱器的六合一產(chǎn)品,這將有助于加快符合規(guī)格要求的牽引逆變器設(shè)計速度和產(chǎn)品陣容擴展。
<應(yīng)用示例>
?車載牽引逆變器
<支持信息>
ROHM擁有在公司內(nèi)部進行電機測試的設(shè)備,可在應(yīng)用層面提供強力支持。為了加快TRCDRIVE pack?產(chǎn)品的評估和應(yīng)用,ROHM還提供各種支持資源,其中包括從仿真到熱設(shè)計的豐富解決方案,助力客戶快速采用TRCDRIVE pack?產(chǎn)品。另外,ROHM還提供雙脈沖測試用和三相全橋用的兩種評估套件,支持在接近實際電路條件的狀態(tài)下進行評估。如需了解更多信息,請聯(lián)系ROHM代理商AMEYA360或通過ROHM官網(wǎng)的“聯(lián)系我們”垂詢。
<關(guān)于“EcoSiC?”品牌>
EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅(Si)而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法,ROHM一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外,ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系,目前已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進企業(yè)的地位。
<術(shù)語解說>
*1) 牽引逆變器
電動汽車的驅(qū)動電機采用的是相位差為120度的三相交流電驅(qū)動。將來自電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電以實現(xiàn)這種三相交流電的逆變器即牽引逆變器。
*2) 二合一
要將直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電,每相各需要一個高邊MOSFET和一個低邊MOSFET進行開關(guān)工作。將這兩個MOSFET組合成一個模塊的結(jié)構(gòu)稱為“二合一”。
審核編輯 黃宇
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