6月13-15日，SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會在國家會展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會匯聚了超過3500家全球光伏產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，共同展示最前沿的科技成果和技術(shù)產(chǎn)品，吸引逾50萬專業(yè)觀眾參與。

基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E1B、工業(yè)級碳化硅半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列碳化硅二極管、門極驅(qū)動芯片、功率器件驅(qū)動器等產(chǎn)品亮相展會，全方位展示基本半導(dǎo)體在功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實(shí)力。

現(xiàn) 場 盛 況

共鑒新品 以創(chuàng)新技術(shù)驅(qū)動能源未來

近年來，隨著全球“雙碳”戰(zhàn)略的實(shí)施，作為新能源產(chǎn)業(yè)的重要方向，光伏行業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，市場對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。碳化硅功率器件以其高效、耐高溫、耐高壓等特性，在新能源領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。憑借在碳化硅領(lǐng)域的深厚積累和持續(xù)創(chuàng)新，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的眾多性能卓越、品質(zhì)可靠的碳化硅功率器件產(chǎn)品，被批量應(yīng)用于光伏儲能、直流快充、新能源汽車、工業(yè)及通信電源等領(lǐng)域，得到了市場的廣泛認(rèn)可。

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2000V/1700V高壓碳化硅MOSFET

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，基本半導(dǎo)體基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。

其中，1700V 600mΩ碳化硅MOSFET可適配于組串式光伏逆變器和儲能系統(tǒng)輔助電源的反激開關(guān)拓?fù)渲校谔岣咻o助電源效率的同時(shí)，使輔助電源更安全可靠運(yùn)行。

02

1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET

為滿足電機(jī)驅(qū)動、儲能系統(tǒng)、大功率充電樁等領(lǐng)域的大功率應(yīng)用需求，基本半導(dǎo)體研發(fā)推出了1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET B2M018120Z，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)，可通過開爾文連接驅(qū)動，降低驅(qū)動回路的雜散電感。

03

第三代碳化硅MOSFET

B3M040120H/Z是基本半導(dǎo)體基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

04

工業(yè)級碳化硅功率模塊Pcore2 E1B/E2B

繼推出首款工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B以來，獲得了工業(yè)市場的廣泛關(guān)注。展會上，基本半導(dǎo)體繼續(xù)推出PcoreTM2 E1B工業(yè)級碳化硅半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

05

工業(yè)級碳化硅半橋頂部散熱MOSFET模塊

B2M040120T和B2M080120T是基本半導(dǎo)體基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

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工業(yè)級碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2 ED3

針對工業(yè)應(yīng)用，基本半導(dǎo)體推出的工業(yè)級碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2 ED3系列模塊具有低開關(guān)損耗、可高速開關(guān)、降低溫度依賴性、高可靠性等特點(diǎn)，結(jié)溫可達(dá)175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊，從而有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期，提高工作效率。

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雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列

基本半導(dǎo)體推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。

展會現(xiàn)場，基本半導(dǎo)體展位人頭攢動，前來交流洽談碳化硅功率器件技術(shù)和產(chǎn)品的客戶絡(luò)繹不絕。未來，基本半導(dǎo)體將繼續(xù)秉承“創(chuàng)新、品質(zhì)、服務(wù)”的理念，不斷加大研發(fā)投入，推出更多高性能、高品質(zhì)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，與全球合作伙伴攜手共進(jìn)，共同助力能源結(jié)構(gòu)的綠色轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展。

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員包括二十余位來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)、德國亞琛工業(yè)大學(xué)、瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，擁有知識產(chǎn)權(quán)兩百余項(xiàng)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，服務(wù)于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項(xiàng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。