Vishay 改良設計的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊
Vishay 推出五款采用改良設計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成，采用 Vishay 的 Trench IGBT 技術制造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低 VCE(ON) 或低 Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。節能效果優于市場上其他器件的 Trench IGBT，與具有超軟反向恢復特性的第四代 FRED Pt 反并聯二極管封裝在一起。模塊小型 INT-A-PAK 封裝采用新型柵極引腳布局，與 34 mm 工業標準封裝 100% 兼容，可采用機械插接方式更換。為降低 TIG 焊機輸出級導通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S 在 + 125 °C，額定電流下，集電極至發射極電壓僅為 ≤ 1.07 V，達到業內先進水平。VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 適用于高頻電源應用，開關損耗極低，+ 125 °C，額定電流下，Eoff 僅為 1.0 mJ 。
封裝
優勢
半橋器件采用 Trench IGBT 技術，可選低 VCE(ON) 或低 Eoff；
用于大電流逆變級；
應用
鐵路設備、發電配電和儲電設備、焊接設備；
電機驅動；
機器人；
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