美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年7月8日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司將在2024慕尼黑上海電子展（electronica China 2024）上展示豐富的無源和分立半導(dǎo)體解決方案，這些產(chǎn)品和方案適用于最新的汽車和電動汽車設(shè)計(jì)，滿足在嚴(yán)苛的操作條件下提供準(zhǔn)確性和可靠性的設(shè)計(jì)需求。

Vishay 亞洲銷售和市場資深副總裁顧值銘先生表示：“電動化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化是未來交通的方向。電動汽車革命不僅推動汽車工業(yè)，而且促進(jìn)新能源、工業(yè)、通信和計(jì)算等領(lǐng)域先進(jìn)電子器件需求的增長。Vishay將以優(yōu)異的產(chǎn)品組合、規(guī)模化產(chǎn)能和卓越的客戶體驗(yàn)應(yīng)對這一新的需求。”

Vishay將在E3展廳3600號展臺展示獨(dú)具特色的產(chǎn)品和解決方案及其在設(shè)計(jì)中的應(yīng)用優(yōu)勢。Vishay展出的主要產(chǎn)品包括：

最新發(fā)布的1200 V MaxSiC?系列碳化硅（SiC）MOSFET，器件采用工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有45 m?、80 m?和250 m?三種可選導(dǎo)通電阻，同時提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650 V至1700 V SiC MOSFET路線圖，導(dǎo)通電阻范圍10 m?到1 ?，包括計(jì)劃發(fā)布的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)汽車級產(chǎn)品。Vishay的SiC平臺基于專有MOSFET技術(shù)——公司最近收購MaxPower Semiconductor, Inc. ——該技術(shù)不久的將來用于滿足多種汽車及工業(yè)應(yīng)用市場的需求，包括DC / DC 轉(zhuǎn)換器、儲能系統(tǒng)、充電樁、車載充電器和牽引逆變器

各種針對不同電壓系統(tǒng)應(yīng)用的參考設(shè)計(jì)，包括基于WSBE8518低溫度系數(shù)（TCR）Power Metal Strip? 檢流電阻的高壓智能電池檢流器（HV-IBSS）參考設(shè)計(jì)； 400V / 800V被動和主動放電；400V、11kW車載充電器；輕型電動汽車48 V、3.6 kW車載充電器；48V / 12V雙向DC/DC轉(zhuǎn)換器；輕型電動汽車48V、10kW牽引逆變器；用于48 V系統(tǒng)的可復(fù)位固態(tài)電子保險(xiǎn)絲。

智能駕駛艙元器件方案。其中包括采用VCNL3030X01全集成接近傳感器，感測形變分辨率高達(dá)20 um的壓力按鍵解決方案；VEML6031X00高精度環(huán)境光傳感器，采用Filtron?技術(shù)，光譜響應(yīng)接近人眼；符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1規(guī)范的VETH100A雙向單路ESD保護(hù)二極管；以及具有澎湃振動力度、快速響應(yīng)能力的IHPTA系列振動反饋器

采用PowerPAK? 8x8LR封裝的功率MOSFET，可用來實(shí)現(xiàn)高能效設(shè)計(jì)，同時降低整體PCB溫度，以及采用PowerPAIR? 6x5FSW封裝，有助于減少元器件數(shù)量，提高功率密度的集成式半橋MOSFET

標(biāo)準(zhǔn)、肖特基，快恢復(fù)（FRED Pt? ）二極管和整流器，瞬態(tài)抑制二極管（TVS），采用緊湊型DFN封裝，提高功率密度并改進(jìn)熱阻。此外，還有第7代超快恢復(fù)二極管（FRED Pt? Hyperfast），快速恢復(fù)時間低至75 ns，典型正向壓降低至1.10 V

電容器解決方案，包括容值高達(dá)10nF的瓷片式安規(guī)電容器；ENYCAP?雙層儲能電容器；工作溫度高達(dá)+125 C的DC-Link金屬化聚丙烯薄膜電容器

各種電阻解決方案，包括溫度傳感和高壓電阻器；放電電阻；電池分流器；能量吸收能力高達(dá)300 J的PTC熱敏電阻；可在+150°C高溫下工作的NTC熱敏電阻；高精度厚膜分壓器；高穩(wěn)定性高壓薄膜片式電阻；無感厚膜功率電阻；適用于引線鍵合的NTC熱敏電阻裸片；阻值極低的Power Metal Strip電阻

帶集成電場屏蔽罩的IHLE?系列大電流電感器，以及極低直流電阻DCR和極低感量的IHSR系列器件

審核編輯 黃宇