7月17日，三星電子公布了其雄心勃勃的2024年異構(gòu)集成路線圖，其中一項(xiàng)關(guān)鍵研發(fā)成果引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注——一款名為L(zhǎng)P Wide I/O的創(chuàng)新型移動(dòng)內(nèi)存即將面世。這款內(nèi)存不僅預(yù)示著存儲(chǔ)技術(shù)的又一次飛躍，還可能與公司此前提及的LLW（Low Latency Wide I/O）內(nèi)存存在某種關(guān)聯(lián)，盡管兩者之間的確切關(guān)系尚待揭曉。

據(jù)路線圖規(guī)劃，LP Wide I/O內(nèi)存預(yù)計(jì)將于2025年第一季度在技術(shù)層面達(dá)到成熟狀態(tài)，隨后在同年下半年至2026年期間做好量產(chǎn)準(zhǔn)備，正式邁向市場(chǎng)。其核心亮點(diǎn)在于其單封裝位寬達(dá)到了驚人的512bit，這一數(shù)字幾乎是目前高端HBM內(nèi)存位寬的一半，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了當(dāng)前LPDDR5內(nèi)存的四通道共64bit規(guī)格，即便是未來的LPDDR6內(nèi)存，其位寬也僅規(guī)劃為96bit。

如此巨大的位寬提升，意味著LP Wide I/O內(nèi)存將能夠提供前所未有的內(nèi)存帶寬，這對(duì)于日益增長(zhǎng)的設(shè)備端AI應(yīng)用等高性能需求場(chǎng)景而言，無疑是巨大的福音。為了實(shí)現(xiàn)這一突破性的位寬設(shè)計(jì)，三星電子不得不面對(duì)如何在有限空間內(nèi)堆疊DRAM芯片的挑戰(zhàn)，而傳統(tǒng)的HBM所采用的TSV（硅通孔）技術(shù)顯然并不適合移動(dòng)內(nèi)存的場(chǎng)景。

為此，三星電子獨(dú)創(chuàng)了VCS（Vertical Cu Post Stack）垂直互聯(lián)技術(shù)，這一技術(shù)巧妙地結(jié)合了扇出封裝與垂直通道的概念，與SK海力士的VFO技術(shù)有異曲同工之妙，但在生產(chǎn)效率與性能上據(jù)稱有顯著提升。三星電子自豪地宣稱，其VCS技術(shù)相比傳統(tǒng)引線鍵合技術(shù)，在I/O密度和帶寬上分別實(shí)現(xiàn)了8倍和2.6倍的增長(zhǎng)；而與類似的VWB（Vertical Wire Bonding，疑似指代SK海力士的VFO技術(shù)）相比，VCS技術(shù)的生產(chǎn)效率更是高達(dá)9倍，展現(xiàn)出了巨大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

值得注意的是，三星電子還透露，作為其內(nèi)存產(chǎn)品線的另一重要成員，LPDDR6內(nèi)存同樣預(yù)計(jì)將在2025至2026年期間達(dá)到量產(chǎn)就緒狀態(tài)，進(jìn)一步豐富了公司的移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品線，為市場(chǎng)帶來更多選擇。這一系列動(dòng)作無疑表明了三星電子在推動(dòng)移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)革新方面的堅(jiān)定決心與強(qiáng)大實(shí)力。