HDBaseT技術(shù)簡(jiǎn)介
HDBaseT技術(shù),由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony(均來(lái)自亞洲),攜手以色列的半導(dǎo)體技術(shù)先鋒Valens Semiconductor,共同創(chuàng)立了HDBaseT聯(lián)盟。該聯(lián)盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP(高清內(nèi)容保護(hù))認(rèn)證,標(biāo)志著其技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)威性與安全性。隨后,在2010年6月底,HDBaseT 1.0的官方規(guī)范正式確立,為行業(yè)樹立了新的里程碑。
與HDMI和DisplayPort等標(biāo)準(zhǔn)不同,HDBaseT并未引入全新的接口設(shè)計(jì),而是巧妙地采用了RJ45接口,這一接口常被稱為水晶頭或以太網(wǎng)接口,極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時(shí),HDBaseT采用了普遍易得的網(wǎng)線作為傳輸介質(zhì),進(jìn)一步降低了部署成本,增強(qiáng)了其普及性。
HDBaseT標(biāo)準(zhǔn)不僅限于視頻信號(hào)的傳輸,它還集成了網(wǎng)絡(luò)連接功能,實(shí)現(xiàn)了音視頻信號(hào)與數(shù)據(jù)通信的同步傳輸。該技術(shù)還支持以太網(wǎng)供電(PoE),即可以通過(guò)網(wǎng)線同時(shí)為連接的設(shè)備提供電力,極大地簡(jiǎn)化了布線工作,提升了系統(tǒng)的整體效能與靈活性。
2.HDBaseT版本介紹
HDBaseT Versions | |||
Specifications | SPEC 1.0 | SPEC 2.0 | SPEC 3.0 |
Video & distance | 1080p,100m/328ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | 4K@60 4:4:4, 100m/328ft |
UHD 4K, 90mv295ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | ||
USB | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
Power | 100 Watts | 100 Watts | 100 Watts |
Ethernet | 100MbpS | 100MbpS | Gigabit |
Recommended cables | Category 5e and above | Category 6a and above | Category 6a and above |
表1 HDBaseT版本介紹
靜芯推出超小體積、超高峰值電流,低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC,該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路設(shè)計(jì)。SENC26F3V4UC為單路保護(hù)器件,具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性,滿足115V低壓浪涌(8/20us)的過(guò)壓保護(hù)需求(VRWM=3.3V MAX,VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us))。以其更小的容值和更高的峰值電流,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號(hào)線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過(guò)壓保護(hù)效果,確保了信號(hào)的完整性和設(shè)備的安全性。
圖1 基本電性圖
SENC26F3V4UC參數(shù)對(duì)比RClamp2504N(包含測(cè)試圖形)
表2 器件測(cè)試參數(shù)對(duì)比
圖2 峰值電流10A 8/20測(cè)試曲線
(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)
圖3極限測(cè)試 8/20浪涌測(cè)試曲線
(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)
SENC26F3V4UC的實(shí)測(cè)過(guò)流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實(shí)測(cè)過(guò)流能力28A, SENC26F3V4UC的鉗位電壓14V@46.4A, RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A,超過(guò)10A后的鉗位電壓,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會(huì)明顯好于RCLAMP2504N,考慮系統(tǒng)的穩(wěn)健性是通過(guò)測(cè)試極端參數(shù)條件下的可靠性,在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會(huì)低于11V(RCLAMP2504N為14.2V),對(duì)系統(tǒng)的防護(hù)效果更好。
在1A附近的鉗位電壓的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):SENC26F3V4UC的鉗位電壓6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的鉗位電壓4.8V@1.44A,兩者差別不大(規(guī)格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足,標(biāo)的典型值7V,最大值10V;RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個(gè)值已經(jīng)和實(shí)測(cè)的典型值接近了。)
SENC26F3V4UC第5號(hào)管腳可以接3.3V的VCC(RCLAMP2504N的5號(hào)管腳規(guī)格書提示不能接VCC,有風(fēng)險(xiǎn)),對(duì)3.3V提供比較好的防護(hù),對(duì)靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護(hù),實(shí)際布線電源走線可以先連接到器件5號(hào)腳,再給到應(yīng)用電路。
5.HDBaseT電路框圖
圖 典型應(yīng)用圖
防護(hù)方案中所使用ESD型號(hào)參數(shù)描述(詳盡參數(shù)請(qǐng)與我司代理聯(lián)系):
信號(hào)線 | 型號(hào) | 描述 |
電流 A |
鉗位電壓 V |
電容 pF |
封裝 |
HDBT+ HDBT- |
SENC26F3V4UC |
3.3V 單向 ESD30kV |
40 | 7 | 4 | DFN2626-10L |
D+/D- | SEUC10F5V4U |
5.0V 單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | DFN2510-10L |
REMOTE/CLK DAT/OUT |
SEUC236T5F4U |
5 單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | SOT-23-6L |
TP+/TP- |
SELC3D3V1BA SELC3D5V1BA |
3.3/5V 雙向 ESD15kV |
20 | 20 | 0.8 | SOD323 |
VCC/GND D+/D- |
SELC143T5V2UB |
5V 單向 ESD15kV |
5 | 9 | 0.6 | SOT-143 |
湖南靜芯是一家專門從事高可靠性器件與芯片設(shè)計(jì)的高新技術(shù)企業(yè),為客戶提供面向汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)等高可靠性傳感器及相關(guān)芯片、半導(dǎo)體器件和應(yīng)用系統(tǒng)等產(chǎn)品和服務(wù)。
在分立器件方向具有自帶完整ESD/TVS/TSS/MOS等器件工藝技術(shù)和產(chǎn)品;
在集成電路芯片方向提供高可靠性的光電集成信號(hào)處理/TDS/OVP等芯片技術(shù)和產(chǎn)品;
在設(shè)計(jì)服務(wù)方面提供片上集成抗雷擊高性能ESD/TVS委托開發(fā)設(shè)計(jì)。
靜心創(chuàng)新,靜芯創(chuàng)芯
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審核編輯 黃宇
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浪涌防護(hù)
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