存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)近日宣布了一項重要進展:其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠(Fab 2,簡稱K2)已圓滿竣工。此次竣工標志著鎧俠在擴大產能、滿足市場日益增長需求方面邁出了堅實的一步。
K2工廠作為北上市的第二座NAND閃存生產基地,其建設過程備受矚目。隨著全球NAND閃存市場需求的逐步復蘇,鎧俠表示將緊密關注市場動態,靈活調整資本投資策略。
據計劃,K2工廠將于2025年秋季正式投入運營,屆時將進一步增強鎧俠在全球NAND閃存市場的競爭力,為客戶提供更加穩定、高效的存儲解決方案。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
NAND閃存
+關注
關注
2文章
219瀏覽量
22733 -
存儲芯片
+關注
關注
11文章
889瀏覽量
43093 -
鎧俠
+關注
關注
1文章
99瀏覽量
7719
發布評論請先 登錄
相關推薦
預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000層
電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧
鎧俠新廠房竣工,投產推遲至2025年
日本半導體存儲器企業鎧俠控股(原名東芝存儲器)近期在北上工廠隆重舉行了第二廠房大樓的竣工儀式。然而,由于公司業績的惡化,新廠房的投產時間不得
鎧俠預測2028年NAND Flash需求將激增2.7倍
存儲芯片大廠鎧俠近日發表了一項令人矚目的預測,稱在人工智能需求的強勁推動下,到2028年,全球對NAND Flash的需求將增加2.7倍。這一預測不僅展示了存儲市場的巨大潛力,也預示著
鎧俠計劃2025年6月前完成IPO
近日,日本知名半導體企業鎧俠被曝出正積極籌備首次公開募股(IPO)的重大計劃。根據鎧俠向日本金融服務廳提交的正式文件,公司計劃在2024年1
臺積電亞利桑那州新廠預計2025年初投產
全球領先的芯片代工商臺積電(TSMC)近日宣布,其位于美國亞利桑那州的首家新工廠預計將于2025年初正式投產。這家新廠的建設始于2021
鎧俠瞄準2027年:挑戰1000層堆疊的3D NAND閃存新高度
在全球半導體行業的激烈競爭中,日本知名存儲芯片制造商鎧俠(Kioxia)展現了其雄心壯志和堅定決心。在結束了長達20個月的NAND閃存減產計劃后,鎧
鎧俠結束NAND閃存減產,工廠開工率已恢復至100%
隨著存儲器市場的逐步復蘇,日本半導體巨頭鎧俠(Kioxia)已正式結束其NAND閃存減產策略。這一戰略調整基于市場需求增長和公司財務狀況的改善。
今日看點丨鎧俠再次尋求上市 IPO;比亞迪方程豹敞篷跑車“SUPER 9”亮相
1. 鎧俠再次尋求上市 IPO 后或重新考慮與西部數據的交易 據報道,日本NAND閃存廠商鎧
發表于 04-17 10:48
?664次閱讀
鎧俠計劃2030-2031年推出千層級3D NAND閃存,并開發存儲級內存(SCM)
目前,鎧俠和西部數據共同研發NAND閃存技術,他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存,這項產品能達到的傳輸速度高達3200M
鎧俠:PCIe Gen5 SSD襲卷2024年,閃存技術創新,加速生成式AI落地
SSD的落地發展。在2024中國閃存市場峰會期間,鎧俠高管們發表演講并接受媒體采訪,分享了諸多對閃存技術和市場的洞見。 ? 2024 是PCIe Gen5 SSD 重要的一
鎧俠提升NAND閃存產能利用率
據最新報道,全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產策略,并計劃在本月內將開工率提升至90%。這一策略調整反映出市場需求的變化和公司對于行業發展的積極預期。
評論