2024年8月7日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商Nexperia宣布，其NextPower 80V及100V MOSFET產(chǎn)品線再次迎來重大擴(kuò)充，成功推出了采用標(biāo)準(zhǔn)化5x6mm及8x8mm封裝的創(chuàng)新LFPAK系列器件。這些精心設(shè)計的NextPower MOSFET，以超低的RDS（on）（導(dǎo)通電阻）與卓越的Qrr（反向恢復(fù)電荷）性能為亮點(diǎn)，旨在服務(wù)器、電源供應(yīng)、高速充電器、USB-PD應(yīng)用以及廣泛的電信、電機(jī)控制等工業(yè)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)前所未有的能效提升與尖峰電壓抑制。

在MOSFET技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中，Nexperia獨(dú)樹一幟，不僅聚焦于通過低QG（tot）和低QGD來提升開關(guān)效率，更深刻認(rèn)識到Qrr對于優(yōu)化尖峰電壓、減少電磁干擾（EMI）的關(guān)鍵作用。通過深入的技術(shù)突破，Nexperia成功降低了NextPower系列80/100V MOSFET的尖峰水平，從而有效減輕了設(shè)備在開關(guān)過程中產(chǎn)生的EMI，為設(shè)計工程師提供了更為簡潔、經(jīng)濟(jì)的電磁兼容性（EMC）解決方案，避免了后期因EMC測試不通過而需增加額外組件的繁瑣與成本。

此次推出的新型MOSFET，在導(dǎo)通電阻（RDSon）方面實(shí)現(xiàn)了顯著優(yōu)化，相較于市面上同類產(chǎn)品，降幅高達(dá)31%。這不僅意味著更高的能效轉(zhuǎn)換，也意味著在同等功率需求下，能夠采用更小的散熱系統(tǒng)，進(jìn)一步縮減系統(tǒng)體積與成本。此外，Nexperia還預(yù)告將在今年后續(xù)階段，推出RDS（on）低至1.2mΩ的LFPAK88 80V MOSFET，以及功率密度更高的CCPAK1212封裝產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富其NextPower系列的產(chǎn)品矩陣。

為助力工程師快速上手并充分利用這些先進(jìn)器件，Nexperia還提供了其屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊。這一工具以全面而直觀的方式，展現(xiàn)了器件的詳細(xì)性能參數(shù)與行為特性，極大地簡化了設(shè)計驗(yàn)證流程，加速了產(chǎn)品從概念到市場的步伐。

Nexperia此次的產(chǎn)品擴(kuò)展，不僅展現(xiàn)了其在MOSFET技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累與創(chuàng)新能力，更為全球電子行業(yè)帶來了更高效、更可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案，推動了綠色、低碳、可持續(xù)發(fā)展的技術(shù)趨勢。