具有超薄氧化硅SiOx薄膜和摻磷多晶硅Poly層的TOPCon太陽能電池具有高達28.7%的理論效率極限，成為目前行業的研究熱點技術。TOPCon電池在金屬與硅接觸界面表現出優越的鈍化質量，具有更高的載流子選擇性和更低的復合率。但不同厚度的n+Poly層會對金屬化接觸形成的微觀結構、鈍化效果和電池的電學性能產生影響。美能在線Poly膜厚測試儀專為光伏工藝監控設計，幫助客戶準確獲得樣品不同位置的膜厚分布信息，實時監控工藝的穩定性，從而優化薄膜厚度。

摻雜的多晶硅通常是經過高溫熱處理后從非晶硅層a-Si結晶而成。通常，制備的方法包括PECVD、LPCVD、常壓CVD、高壓CVD、濺射和電子束蒸發。通過對鈍化接觸的參數，比如對SiOx薄膜和Poly層的結構性質和厚度以及鈍化觸點的金屬化進行研究，可以為沉積制備工藝參數對Poly層和電池性能的影響提供有價值的見解。

TOPCon太陽能電池結構示意圖

通過控制SiOx薄膜的界面缺陷和Poly層的摻雜濃度，摻雜后的Poly層可以獲得良好的鈍化性能和較低的接觸電阻率。通過控制沉積工藝方法可以改變Poly層的厚度，不同厚度會對發射極的飽和電流密度、金屬化復合和接觸電阻率ρc產生影響。

以下我們通過對厚度為30nm、50nm、70nm、100nm的多晶硅Poly層進行測量與分析。

薄層電阻R□

當n+Poly層厚度從100nm減小到30nm時，電池片的薄層電阻（R□）從45.1增加到57.2Ω/sq。這是因為Poly層的厚度決定了總摻雜量。雖然表面摻雜濃度相同，隨著厚度的不斷增加，總摻雜量也在增加，導致電池片的薄層電阻降低。

不同n+Poly層厚度TOPCon太陽能電池薄層電阻圖

接觸電阻率ρc

當n+Poly層的厚度從30nm增加到100nm時，接觸電阻率顯著降低。隨著厚度增加，總摻雜濃度也隨之增加，從而使硅片內部的耗盡區寬度變窄，促進了載流子通過肖特基勢壘的量子隧穿效應。較厚的Poly層能夠提供更多的摻雜原子，減少接觸電阻率。不同n+Poly層厚度TOPCon太陽能電池接觸電阻率ρc圖

I-V參數

較薄的n+Poly層（30 nm）由于無法提供足夠的摻雜濃度和鈍化效果，導致效率Eff和開路電壓Voc較低。在n+Poly層厚度為70 nm和100 nm時，太陽能電池的效率Eff、開路電壓Voc和填充因子FF均達到最佳狀態。這表明，這兩個厚度能夠提供良好的電性能和平衡的摻雜濃度與電阻特性。

表.不同n+Poly層厚度TOPCon太陽能電池的I-V參數

不同n+Poly層厚度TOPCon太陽能電池的I-V參數

從上述中可以得出結論，Poly層的厚度對TOPCon太陽能電池的電學性能有顯著影響。較厚的Poly層具有較低的薄膜電阻，能夠提供更高的導電性。這也表明在設計和制造太陽能電池時，需要優化Poly層的厚度，這對于實現高效TOPCon太陽能電池至關重要。

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在實際應用中，優化Poly層的厚度能夠在性能和成本之間取得更好的平衡，實現n-TOPCon太陽能電池的整體效率和經濟性。美能在線Poly膜厚測試儀專為光伏工藝監控設計，幫助客戶準確獲得樣品不同位置的膜厚分布信息，實時監控工藝的穩定性，從而優化薄膜厚度。