由于存儲器中包括結構重復的存儲單元，當其中發生失效點時, 如何定位失效點成為存儲器失效分析中的最為重要的一步。存儲器芯片的集成度高，字線(WL)和位線(BL)之間發生微小漏電，或前段Device及后段metal/via的缺陷導致SB和WL/BL Fail，這些失效情況用現有技術SEM定位 或通過光發射方法 (EMMI) 或光致阻變 (0BIRCH) 方法，通常準確性較低, 失效分析的成功率還有待進一步的提高。

存儲器芯片確定物理地址/layout & PFIB delayer

季豐對存儲器芯片的失效分析方法步驟

加入了納米探針（Nano-probe）檢測失效物理地址的電性參數，可通過電性量測表征transistor 特性曲線；

可利用pulsing功能檢測軟失效；

最多可實現8根針的電性量測，可提供SRAM Static Noise Margin測試；

配備了高低溫模塊，可實現-40℃~150℃復現高/低溫故障；

可利用電子束吸收電流(EBAC)/ 電子束誘發電流(EBIC) 技術標記缺陷實際位置, 以提高找到失效機制的成功率（如下圖所示）。

Nano probe IV/EBIC/EBAC技術

PFA分析, 提供了平面和截面TEM&EDX的三維成像分析，平面TEM（如下圖所示）做大范圍的觀察與確認缺陷位置,再針對可疑的缺陷執行截面分析, 在透射電鏡分析中提高了分析成功率，讓客戶有更全面的觀察視野去判斷失效問題。

平面TEM技術 （6T SRAM 結構）

納米探針和TEM分析是目前最佳的存儲芯片功能性失效分析方法之一, 季豐電子具備專業的技術能力及高端的設備資源，可為客戶提供更完整準確的分析服務。

GIGA FORCE

季豐電子

季豐電子成立于2008年，是一家聚焦半導體領域，深耕集成電路檢測相關的軟硬件研發及技術服務的賦能型平臺科技公司。公司業務分為四大板塊，分別為基礎實驗室、軟硬件開發、測試封裝和儀器設備，可為芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導體產業鏈和新能源領域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

季豐電子通過國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術企業、上海市“科技小巨人”、上海市企業技術中心、研發機構、公共服務平臺等企業資質認定，通過了ISO9001、 ISO17025、CMA、CNAS等認證。公司員工近1000人，總部位于上海，在浙江、北京、深圳、成都等地設有分公司。