IGBT，全稱絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）和BJT（雙極性晶體管）組成的復(fù)合全控型功率半導(dǎo)體器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，通過十幾伏的門極控制信號，即可實現(xiàn)kV級電壓和kA級電流的控制，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛。

準(zhǔn)備好硅襯底材料

Boron局部注入形成場限環(huán)

Hardmask形成：通過CVD+光刻刻蝕

溝槽形成：深槽刻蝕

溝槽形成：柵極氧化和多晶填充

元胞注入：N型注入和P型注入

正面金屬形成：通過ILD淀積、接觸孔刻蝕和金屬濺射同步完成Emitter電極和終端區(qū)的金屬場板

背面形成：N型注入、P型注入后金屬濺射完成背面Collecter電極加工

好了，IGBT芯片的整個加工流程介紹完了，步驟里面只提到了Emitter和Collecter電極，那么大家想一想Gate電極又是在哪部形成的呢？