晶體管是由兩個PN結構成的。具體來說，晶體管內部包含三個區域：發射區、基區和集電區，這三個區域通過不同的摻雜方式在同一個硅片上制造而成，并形成了兩個PN結。這兩個PN結分別稱為發射結（位于發射區與基區之間）和集電結（位于基區與集電區之間）。晶體管的三個電極分別是集電極（C或c）、基極（B或b）和發射極（E或e），它們分別對應于晶體管的三個區域。

晶體管的工作原理主要涉及電流和電壓的控制。在正常工作狀態下，發射結處于正向偏置狀態，使得發射區的電子能夠越過PN結進入基區。由于基區很薄且雜質濃度很低，這些電子在基區內擴散時會受到集電結電場的作用，大部分電子會被集電區收集，形成集電極電流。這個過程中，基極電流對集電極電流的控制作用非常顯著，這也是晶體管具有放大作用的基礎。

根據結構的不同，晶體管可以分為PNP型和NPN型兩類。這兩種類型的晶體管在電路中的應用有所不同，但基本原理是相似的。在實際應用中，晶體管被廣泛用于各種電子設備中，如放大器、開關、振蕩器等。

以下是對晶體管結構的詳細解析：

1. 發射區 ：發射區是晶體管中摻雜濃度最高的區域，通常由N型半導體材料制成（在PNP型晶體管中則為P型）。發射區的主要作用是向基區提供大量的電子。
2. 基區 ：基區位于發射區和集電區之間，是晶體管中摻雜濃度最低且最薄的區域。基區的主要作用是控制從發射區進入集電區的電子數量。當基極電流變化時，基區內的電場也會發生變化，從而影響電子的擴散和漂移過程。
3. 集電區 ：集電區是晶體管中面積最大的區域，通常由N型半導體材料制成（在PNP型晶體管中則為P型）。集電區的主要作用是收集從發射區經過基區擴散和漂移過來的電子，并形成集電極電流。集電區的摻雜濃度低于發射區但高于基區，這使得集電區能夠有效地收集電子而不至于發生飽和現象。
4. PN結 ：發射結和集電結是晶體管中的兩個重要PN結。發射結處于正向偏置狀態時能夠允許電子從發射區流向基區；而集電結則處于反向偏置狀態以收集從基區擴散過來的電子。這兩個PN結的共同作用使得晶體管具有放大和開關等功能。

綜上所述，晶體管是由兩個PN結構成的三端器件。其獨特的結構和工作原理使得晶體管在現代電子技術中扮演著至關重要的角色。