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SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

要長(zhǎng)高 ? 2024-09-05 16:31 ? 次閱讀

9月4日,半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)重要?jiǎng)討B(tài),SK 海力士社長(zhǎng)金柱善(Kim Ju Seon)在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講,分享了公司在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與未來(lái)展望。金柱善社長(zhǎng)自豪地宣布,SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進(jìn)一步的是,公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑,正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在HBM市場(chǎng)全球最高市占率的地位,也標(biāo)志著HBM3E技術(shù)再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,特別是在滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的人工智能服務(wù)器對(duì)高性能內(nèi)存需求的背景下。

除了現(xiàn)有的市場(chǎng)領(lǐng)先地位,SK 海力士還展示了其前瞻性的研發(fā)實(shí)力,透露了與臺(tái)積電攜手共進(jìn)的下一代HBM4研發(fā)計(jì)劃。據(jù)悉,這款創(chuàng)新的HBM4產(chǎn)品將開(kāi)創(chuàng)性地在基礎(chǔ)裸晶(Basedie)芯片上采用先進(jìn)的邏輯制程工藝進(jìn)行生產(chǎn),預(yù)計(jì)能夠根據(jù)客戶(hù)的量產(chǎn)時(shí)間表靈活調(diào)整供貨節(jié)奏,有望成為業(yè)界首款采用此技術(shù)的高性能內(nèi)存解決方案。

在技術(shù)規(guī)格上,當(dāng)前SK 海力士的8層和12層HBM3E產(chǎn)品以其36GB的超大容量和每秒超過(guò)1.18TB的驚人數(shù)據(jù)處理速度,為高性能計(jì)算領(lǐng)域樹(shù)立了新的標(biāo)桿。而即將面世的HBM4則更上一層樓,將提供12層和16層兩種配置選項(xiàng),最大容量躍升至48GB,數(shù)據(jù)處理速度更是飆升至每秒超過(guò)1.65TB,預(yù)示著其在處理復(fù)雜AI算法和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用方面的無(wú)限潛力。

綜上所述,SK 海力士通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)拓展,正引領(lǐng)著HBM技術(shù)的發(fā)展潮流,為全球高性能計(jì)算市場(chǎng)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

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