電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）日前消息，臺積電計劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW（晶圓上系統(tǒng)）封裝技術，該技術是將InFO-SoW（集成扇出晶圓上系統(tǒng)）與SoIC（集成芯片系統(tǒng)）結(jié)合，把存儲器和邏輯芯片堆疊在晶圓上。這一技術的推進是為了應對更強大的人工智能芯片以及AI趨勢下集成更多HBM存儲芯片的需求。

臺積電的InFO-SoW已經(jīng)用于Cerebras AI芯片、Tesla Dojo的處理器等上面。其中，Cerebras Systems打造的超大AI芯片，采用互連的方法將所有內(nèi)核放在同一塊硅晶圓上，臺積電曾表示其扇出型封裝技術使芯片厚度減少20%，成本降低30%，同時互連功耗降低15%。也就是說數(shù)據(jù)移動快速且低功耗。而特斯拉Dojo超算系統(tǒng)集成25個D1芯片的訓練模塊，也是通過臺積電的InFO_SoW整合扇出技術來實現(xiàn)的。

而InFO-SoW主要還是以一種制造工藝進行生產(chǎn)，難以進行不同工藝Die的集成。CoW-SoW的出現(xiàn)能夠更好地整合邏輯芯片和存儲芯片的集成，并獲取更高的互聯(lián)帶寬。據(jù)臺積電介紹，CoW-SoW技術的面積可比當前光罩極限大40倍，并且可以將HBM容量擴展60倍。這將使人工智能和大型數(shù)據(jù)中心的巨型芯片的開發(fā)成為可能。

2024年6月黃仁勛宣布下一代數(shù)據(jù)中心GPU架構(gòu)平臺Rubin將集成 HBM4 內(nèi)存，Rubin GPU 和Rubin Ultra GPU預計分別于2026年和2027年發(fā)布。根據(jù)曝料，Rubin架構(gòu)首款產(chǎn)品為R100，采用臺積電3nm EUV制造工藝，四重曝光技術，CoWoS-L封裝，預計2025年第四季度投產(chǎn)。Rubin GPU將配備8個HBM4芯片、 Rubin Ultra GPU 將集成12顆HBM4芯片。這也是英偉達首次在其AI芯片中使用12顆HBM 芯片。

這里的CoWoS-L是CoWoS提供三種不同的轉(zhuǎn)接板技術之一，是CoWoS未來發(fā)展的關鍵技術。根據(jù)臺積電的規(guī)劃，其將于2026年推出，可將中介層尺寸拓展至光罩極限的5.5倍,可支持12個HBM內(nèi)存堆棧，也就是單一封裝中整合更多計算和存儲資源，進一步滿足AI性能的需求。

考慮到臺積電CoW-SoW技術計劃于2027年開始量產(chǎn)，外界認為有可能會被英偉達的Rubin Ultra采用。

另據(jù)早前的報道，SK 海力士希望將HBM4通過3D堆疊的方式直接集成在芯片上。外媒認為，Nvidia和SK海力士很可能會共同設計這種集成芯片，并借助臺積電進行代工。通過臺積電的晶圓鍵合技術將SK海力士的HBM4芯片直接堆疊到邏輯芯片上，HBM無需中介層。

市場調(diào)研機構(gòu)Yole預測，先進封裝市場在2021-2027年間復合增長率將達到9.81%，到2027年市場規(guī)模將達到591億美元。此外，2.5D/3D封裝技術將實現(xiàn)顯著增長，預計其復合增長率將達到13.73%，到2027年2.5D/3D封裝市場規(guī)模預計將達180億美元。

誠然，AI性能的不斷提升需要依靠算力、存力和運力的綜合能力，單純的依靠先進制程來提升算力已不足夠。尤其是將大AI芯片與更多存儲更近距離的集成是AI性能不斷突破的關鍵，先進封裝對于AI芯片的優(yōu)化起到越來越重要的作用。