DDR3是目前DDR的主流產品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側的，測試起來相當方便；但是，DDRII和III就不一樣了，它采用的是BGA封裝，所有焊點是藏在芯片的底部的，測試起來非常不便，一般需要提前預留測試點。在DDR讀寫burst分析之前，首先得把read burst和write burst分離出來，讀寫雙向的數據全部都擱在DQS和DQ上。那么，DDR的手冊中，留下了那些線索供我們進行都寫的分離呢？要實現DDR的快速的便捷的分離，在讀寫分離之前，我們必須得知道DDR讀寫信號之間的特征差異。首先，看看SPEC里面的定義：

方法一：preamble的差異在每次的burst之前，DQS會從高阻態切換到一段負脈沖，然后才開始正常的讀寫。這段負脈沖，我們叫做preamble（preamble實際上是在讀寫前，DQS提前通知DRAM芯片或者是controller的信號）。一般說來，讀數據DQS的preamble寬度要大于寫數據。對于DDR3,情況就更簡單了。因為在DDR3中，讀數據的preamble是負脈沖，寫數據的preamble是正脈沖。

方法二：幅度上的差異一般在DRAM端進行測試，寫數據從memory controller出來，經過了主板PCB板，內存插槽和內存條PCB板，到達DRAM顆粒的時候，信號已經被衰減了，而讀數據剛剛從DRAM出來，還沒有經過任何的衰減，因此讀數據的幅度要大于寫數據。如下圖所示方法三：寫數據是DQS和DQ centre-align(中間對齊), 讀數據DQS和DQ是edge align(邊沿對齊)，memory controller在接收到內存的讀數據時，在controller內部把DQS和DQ的相位錯開90度，實現中間對齊來采樣（這個過程示波器就看不到咯）；方法四：斜率的差異:讀數據的斜率大于寫數據。一般在DRAM端進行測試，寫數據從memory controller出來，經過了主板PCB板，內存插槽和內存條PCB板，到達DRAM顆粒的時候，信號已經被衰減了，所以，斜率也小一些；而讀數據剛剛從DRAM出來，還沒有經過任何的衰減，因此讀數據的斜率要大于寫數據。也可以從下圖得到區分。