三星電子近期調整了其晶圓代工產能擴充計劃,決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建,轉而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器(HBM)的生產上。這一戰略調整反映了三星對當前市場需求的精準把握與未來技術趨勢的深刻洞察。
據悉,三星已暫停平澤P4工廠第二期晶圓代工生產線的建設,而NAND Flash的P4一期產線則即將投產,三期產線也在緊鑼密鼓地建設中,預計中秋節后將進入設備安裝階段。此舉不僅彰顯了三星在NAND Flash領域的持續投入與領先地位,也為其在HBM等高端存儲市場的布局奠定了堅實基礎。
同時,業界還傳出消息,三星位于美國德州泰勒的晶圓代工工廠設備投資計劃也將推遲一個季度,進一步體現了三星在產能布局上的謹慎態度與靈活應變能力。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
NAND
+關注
關注
16文章
1677瀏覽量
136016 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15855瀏覽量
180920 -
晶圓代工
+關注
關注
6文章
858瀏覽量
48537 -
HBM
+關注
關注
0文章
373瀏覽量
14705
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星計劃關閉半數晶圓代工產能以應對虧損
據報道,三星電子半導體部門正面臨巨大的財務壓力,第三季度代工業務虧損預計高達1萬億韓元(約合7.24億美元)。為了降低成本,三星已決定暫時關閉部分晶
三星電子晶圓代工副總裁:三星技術不輸于臺積電
在近期的一場半導體產學研交流研討會上,三星電子晶圓代工業務部的副總裁Jeong Gi-tae展現出了高度的自信。他堅決表示,三星的技術并不
三星電子調整HBM內存產能規劃,應對英偉達供應延遲
近日,三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲,對其HBM內存的產能規劃進行了調整。據韓媒報道,三星已將2025年底的產能預估下調至每月1
三星晶圓代工困局難解,2024年或陷巨額虧損
三星電子,作為全球科技巨頭之一,盡管在2024年第二季度展現出整體市場的強勁勢頭,其晶圓代工業務卻持續深陷困境之中。據韓國工業和證券部門的最新預測,這一關鍵領域恐將在今年面臨“數萬億韓
三星晶圓代工發力,挑戰臺積電地位
三星電子在最新的投資人財報會議中透露,其晶圓代工業務在上季度實現了顯著的利潤增長,預示著該領域的強勁復蘇。公司對未來充滿信心,預計下半年晶
三星否認晶圓代工廠生產缺陷傳聞
近日,韓國三星電子代工晶圓制造工廠的生產缺陷傳聞在業界引起了廣泛關注。有消息傳出,三星在第二代3納米工藝生產過程中,發生了高達2500批次的
三星HBM研發受挫,英偉達測試未達預期,如何滿足AI應用GPU的市場需求?
據DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓
三星電子NAND晶圓投片量上調約30%,謹慎對待市場發展
以全速運轉狀態,三星NAND閃存生產線季度晶圓投片量可超過200萬片。同時,該公司已為二至四季度設定晶圓
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備
數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模
三星力爭取高通3nm訂單,挑戰臺積電代工霸權?
供應鏈消息指出,盡管面臨三星的熱情攻勢,高通依然在認真權衡未來兩年內是否繼續采用包括臺積電和三星在內的“雙重晶圓代工”
評論