在電子測試和測量的世界里,精確的電信號捕捉是成功的關鍵。然而,現實情況往往復雜多變,信號在傳輸過程中不可避免地會受到各種干擾,本文將探討共模信號與差模信號的區別,以及共模抑制比(CMRR)的重要性。我們將解釋這些概念,并展示麥科信的SigOFIT光隔離探頭如何在氮化鎵(GaN)半橋電路的測量中,展現出其無與倫比的共模抑制能力。通過實際案例,我們將揭示共模干擾的來源,以及如何通過高CMRR值的探頭來有效抑制這些干擾,從而提高信號的信噪比和測量的準確性。
共模信號與差模信號
麥科信(Micsig)的SigOFIT光隔離探頭相對差分探頭具有諸多優勢,其中最重要一個,那就是其無與倫比的共模抑制能力。那么,共模抑制能力強,到底有什么用呢?在電子學中,信號可以分為兩種基本模式:共模和差模。這兩種模式對于理解信號傳輸和干擾處理至關重要,特別是在涉及信號完整性和噪聲抑制的領域。帶著疑問,我們先來看看到底什么是共模信號,什么是差模信號。
什么是共模信號
共模信號是指兩個信號線相對于參考點(通常是地)具有的相同幅度和相位的信號成分。簡而言之,共模信號是兩個信號線相對于公共參考點的共同變化部分。
什么是差模信號
差模信號是指兩個信號線之間的電壓差,即兩線之間的相對變化。它是實際要傳輸的有效信號成分,代表了信號線之間的信息傳遞。
關于共模抑制比(CMRR)
探頭的共模抑制比(Common Mode Rejection Ratio, CMRR)是電壓探頭對差模信號放大能力和對共模信號(干擾信號)抑制能力的一個重要參數。在理想情況下,放大電路應該只放大差模信號(即兩個輸入端之間差異的信號),而對共模信號(即兩個輸入端相同的信號)完全不敏感。CMRR的數值越大,表明電路對共模信號的抑制能力越強,電路的性能通常越好。
CMRR通常用單位 dB 來表示,其計算公式如下:
如果探頭設備對差模信號的增益為1000(30dB),而對共模信號的增益為1(0dB),那么CMRR將是:
CMRR數值越大,意味著探頭對共模信號的放大倍數越小,從而對共模干擾的抑制能力越強。在電子測量和信號處理中,高CMRR有助于提高信號的信噪比,減少干擾對測量結果的影響。
氮化鎵(GaN)半橋電路分析
我們以氮化鎵(GaN)半橋電路中上管Vgs測量為例,上管Vgs驅動信號就是差模信號,下管的Vds就是共模信號。
在氮化鎵(GaN)半橋電路中,特別是當涉及到上管的柵源電壓(Vgs)測量時,共模干擾是一個常見的問題。這種干擾可能來源于多種途徑,并且會對測量結果產生不利影響。
在氮化鎵半橋電路中,開關瞬態電壓非常高,尤其是在高速開關操作時。當上管和下管交替導通時,由于開關過程中的快速電壓變化,會在柵源間產生高頻共模電壓;快速開關變化同時會在半橋電路周圍產生強烈的電磁場,這會導致附近的導體感應出共模電壓。開關瞬間,電磁輻射可能會耦合到柵源回路中,形成共模干擾。
測量設備引入共模干擾
在高速開關應用中,較長的導線可能會像天線一樣收集周圍的電磁場能量,進而產生共模電壓。測量探頭的輸入電容和輸入電阻可能會與電路形成分壓網絡,導致共模干擾。差分探頭就可能會存在這些問題,而麥科信(Micsig)的光隔離探頭可采用MMCX或MCX母座連接,引線極短,而且輸入電容很小,沒有這些問題。
如此多的共模干擾,會嚴重影響信號的測量結果,因此我們的測試探頭要想保證信號的真實性,就必須具有很強的抑制共模干擾的能力,共模抑制比越大就說明抑制共模噪聲的能力越強,假設測試氮化鎵電路,共模信號電壓是500V,dv/dt=250V/ns,要抑制這樣的共模干擾,如果CMRR=60dB,探頭會輸出500mV的共模干擾疊加到差模信號上,對差模信號有明顯的影響,如果CMRR=80dB,探頭會將50mV的共模干擾疊加到差模信號上,對差模信號的影響還是不可忽略,如果CMRR=100dB,探頭只會殘留5mV的共模干擾,對差模信號來說完全可以忽略。
麥科信SigOFIT光隔離探頭共模抑制比高達180dB,在1GHz頻段時,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高頻共模噪聲所產生的震蕩,所呈現的信號沒有額外多余成分,是第三代半導體測試的不二之選。
此外,在高速信號傳輸中,如果信號線的阻抗不匹配,可能會導致信號反射,從而產生共模電壓,這種反射現象會加劇共模干擾的問題。而麥科信SigOFIT光隔離探頭采用50Ω阻抗,可以最大限度地減少信號反射,提供更好的信號完整性。
總結
通過上述文章,我們了解了什么是共模,什么是差模,以及共模干擾產生的一些原因。同時,麥科信(Micsig)的SigOFIT光隔離探頭擁有超高共模抑制比,可以更好地抑制共模噪聲,保證信號的完整性,幫助我們看到信號真實的樣子,助力大家完成測量SiC/GaN等功率器件的柵極電壓驅動等高壓高頻等挑戰性場景。如果大家有采購或者樣機申請需求,可以隨時聯系我們。
審核編輯 黃宇
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