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基于65nm工藝的五分頻器設(shè)計(jì)方案

電子設(shè)計(jì) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師1 ? 2018-04-18 14:04 ? 次閱讀

USB 3. 0 是通用串行總線( Universal Serial Bus)的最新規(guī)范, 該規(guī)范由英特爾等大公司發(fā)起, 其最高傳輸速度可達(dá)5 Gb/ s,并且兼容USB 2. 0 及以下接口標(biāo)準(zhǔn)。物理層的并串/ 串并轉(zhuǎn)換電路是U SB 3. 0 的重要組成部分, 在發(fā)送端將經(jīng)過8 b/ 10 b 編碼的10 位并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成串行數(shù)據(jù)并傳輸?shù)?a target="_blank">驅(qū)動(dòng)電路, 在接收端將經(jīng)過CDR( Clock and Data Recovery) 恢復(fù)出來的串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成10 位并行數(shù)據(jù)。在并串/ 串并轉(zhuǎn)換過程中,同時(shí)存在著時(shí)鐘頻率的轉(zhuǎn)換, 若串行數(shù)據(jù)采用時(shí)鐘上下沿雙沿輸出,則串行數(shù)據(jù)傳輸頻率降低一半, 并行傳輸時(shí)鐘為串行傳輸時(shí)鐘的1/ 5, 即五分頻。

本文設(shè)計(jì)了基于65 nm 工藝的五分頻器, 產(chǎn)生一個(gè)占空比為50%的五分頻信號。對該電路的設(shè)計(jì)不以追求高速度為惟一目標(biāo),而是在滿足U SB 3. 0 協(xié)議所要求的頻率范圍基礎(chǔ)上, 盡可能的降低功耗。

1 電路原理與結(jié)構(gòu)

采用基于D 觸發(fā)器結(jié)構(gòu)的五分頻器邏輯框圖如圖1所示。圖1 由3 個(gè)D 觸發(fā)器和少量邏輯門構(gòu)成, 采用了同步工作模式, 其原理是由吞脈沖計(jì)數(shù)原理產(chǎn)生2 個(gè)占空比不同的五分頻信號A 和B, 然后對時(shí)鐘信號CLK, A 和B 進(jìn)行邏輯運(yùn)算得到占空比為50% 的五分頻信號CLK/ 5, 其計(jì)數(shù)過程如表1 所示, 從表1 的計(jì)數(shù)過程可知, 分頻后的時(shí)鐘CLK/ 5 的周期是輸入時(shí)鐘CLK 的5 倍, 由此實(shí)現(xiàn)了五分頻并且其占空比為50% 。

圖1 5 分頻電路邏輯結(jié)構(gòu)

表1 5 分頻器計(jì)數(shù)過程

2 分頻器基本電路的設(shè)計(jì)

觸發(fā)器是整個(gè)分頻器中最基本的結(jié)構(gòu), 只有設(shè)計(jì)好一個(gè)快速的觸發(fā)器, 才能實(shí)現(xiàn)一個(gè)高頻率的分頻器,目前用于分頻電路的觸發(fā)器電路主要有3 種。第1 種是CML( Current Mo de lo gic) 電路, 是由ECL( EmitterCo uple Logic) 電路演變來的, 相比傳統(tǒng)的靜態(tài)分頻器,由于電路的擺幅較小, 因而電路的工作速度快; 第2 種是TSPC( True Single Phase Clock) 電路, 采用單相時(shí)鐘, 大大減少了電路的元件數(shù)目, 從而提高電路工作速度, 同時(shí)這種電路功耗極低; 第3 種是注鎖式( Injected-Locked) 電路, 由于要使用電感, 因而它的體積過大且工藝難度高, 成本較高, 很少被廣泛采用。本文分別采用CML 電路和TSPC 電路構(gòu)成分頻電路, 并對兩者的速度和功耗等進(jìn)行比較。

CML 電路構(gòu)成的觸發(fā)器如圖2 所示, 由圖中可以看出, 該觸發(fā)器由2 個(gè)CML 結(jié)構(gòu)鎖存器組成, 它們構(gòu)成主從型結(jié)構(gòu), 每個(gè)鎖存器都要經(jīng)過2 個(gè)階段: 跟蹤階段和保持階段。當(dāng)主鎖存器跟蹤輸入信號時(shí), 從鎖存器處于鎖存保持階段, 然后交替。其中N13 , N14 為尾電流管, 偏置電壓V_bias 使N13 , N14管工作在飽和狀態(tài), 充當(dāng)恒流源的作用。dp 和dn 是由輸入信號d 經(jīng)傳輸門和反相器產(chǎn)生的一對互補(bǔ)差分信號, ck_m 和ck_p 是由輸入時(shí)鐘信號clk 經(jīng)傳輸門和反相器產(chǎn)生的一對互補(bǔ)時(shí)鐘差分信號。主鎖存器工作狀態(tài)為: 當(dāng)ck_m 為高電平時(shí), N5 管導(dǎo)通, N6 管關(guān)閉, 此時(shí)N1 , N2 管工作在差分狀態(tài), 將輸入信號dp, dn 采入。當(dāng)ck_p 為高電平時(shí),N6 管導(dǎo)通, N5 管關(guān)閉, 此時(shí)N3 , N4 使電路維持在鎖存狀態(tài), 從鎖存器工作狀態(tài)恰好與主鎖存器工作狀態(tài)相反。設(shè)計(jì)中在觸發(fā)器輸出端q, qn 之間加了2 個(gè)反相器從而在q, qn 之間形成正反饋, 增強(qiáng)了電路的輸出驅(qū)動(dòng)能力。工作時(shí), 電路的尾電流應(yīng)當(dāng)足夠大, 有利于提高電路工作頻率和輸出信號的擺幅。

TSPC 電路構(gòu)成的觸發(fā)器如圖3 所示, 由圖中可以看出, 該電路由四級反相器構(gòu)成, 上升沿觸發(fā), 當(dāng)CK 為低電平, 輸入反相器在節(jié)點(diǎn)X 上采樣反向d 輸入,第2 級反相器處于保持狀態(tài), 節(jié)點(diǎn)Y 預(yù)充電至V dd,第三級反相器處于保持狀態(tài), 時(shí)鐘上升沿來時(shí), 第二級反相器求值, Y 的電平值發(fā)生變化, 時(shí)鐘ck 為高電平時(shí),節(jié)點(diǎn)Y 的值傳送到輸出q, 該觸發(fā)器的延時(shí)為4 個(gè)反相器的傳播延時(shí), 由于電路中元件數(shù)目很少, 而且采用動(dòng)態(tài)邏輯, 因此功耗極低。

圖2 CML 鎖存器構(gòu)成的主從式觸發(fā)器電路

圖3 TSPC 電路構(gòu)成的觸發(fā)器

3 仿真結(jié)果與分析

采用Cadence 公司的spect re 仿真器對設(shè)計(jì)的分頻器分別仿真, 仿真電源電壓為1 V, 結(jié)果表明: 在典型工藝參數(shù)條件下,基于CML 電路結(jié)構(gòu)的五分頻器最大工作頻率是8 GHz, 最小工作頻率是1 kHz, 當(dāng)工作在8 GHz 時(shí), 功耗為1. 7 mW, 輸出信號占空比為49. 76% ; 基于T SPC 電路結(jié)構(gòu)的五分頻器最大工作頻率是10 GHz, 最小工作頻率是10 MHz, 當(dāng)工作在10 GH z時(shí), 功耗采用10 ns 內(nèi)的平均功耗, 功耗為0. 2 mW, 輸出信號占空比為49. 92%.由于是單端輸入輸出, 基于T SPC 電路結(jié)構(gòu)的分頻器抗噪聲能力較弱。最高工作頻率下的仿真結(jié)果如圖4, 圖5 所示。

圖4 基于CML 電路結(jié)構(gòu)的五分頻器工作在8 GH z 仿真圖

圖5 基于T SPC 電路結(jié)構(gòu)的五分頻器工作在10 GHz 仿真圖

對于不同頻率的分頻器。通常采用FOM 值來比較其性能, 分頻器的FOM 值定義為:

式中: fmax 是分頻器的最高工作頻率; P 是分頻器在最高工作頻率下的功耗, 表2 為本文設(shè)計(jì)的分頻器和其他文獻(xiàn)中介紹的分頻器作對比,所有的分頻器均采用CMOS工藝, 對比表明本文設(shè)計(jì)的5 分頻器性能較優(yōu),在65 nm 工藝下具有明顯的功耗低優(yōu)勢, 尤其是采用TSPC 電路結(jié)構(gòu)的分頻器, 功耗極低。

表2 幾種分頻器性能的總結(jié)對比

4 結(jié)語

本文基于65 nm 工藝分別采用CML 電路結(jié)構(gòu)和TSPC 電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了1 個(gè)五分頻器, 采用spectre仿真表明, 采用CML 結(jié)構(gòu)的分頻器最高工作頻率8 GHz,功耗1. 7 mW, 輸出信號占空比49. 76% ; 采用T SPC 電路結(jié)構(gòu)分頻器最高工作頻率10 GHz, 功耗為0. 2 mW,輸出信號占空比49. 91%, 由于采用單端輸入輸出, 所以采用T SPC 結(jié)構(gòu)的分頻器抗噪聲能力較弱。輸出信號占空比為50% 是本文一大特點(diǎn), 2 種結(jié)構(gòu)的分頻器工作頻率完全覆蓋了USB 3. 0 協(xié)議所要求的頻率范圍,滿足協(xié)議要求。

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