本文簡單介紹晶體及晶振的概念性東西,同時分別對石英晶振與MEMS硅晶振的工藝做了簡單描述,以及參數比較。
一、晶體與晶振的區別。
晶體與晶振的叫法在國內比較亂,很多人會把晶體與晶振統稱晶振。一般來講,晶體是指無源晶振,英文名:Crystal。需要串接電容才可起振。晶振一般也叫有源晶振,英文名:Oscillctor。無需串接電容,上電就可以有時鐘輸出。
二、石英晶振的生產工藝。
石英晶振要經過切割、打磨、鍍銀、點膠、氮氣填充等幾十道工序。會存在以下問題風險:
1、 易碎:因為精準度的需要,石英晶片需要打磨的非常薄。所以在運輸過程中是非常容易碎掉的。
2、 品質不一致:除易碎的情況外,過高的溫度(如:焊接)會容易導致點膠的松動,造成壞品。
3、 漏氣:因為石英晶振的精度與鍍銀有很直接的關系,所以金屬殼的密封不好的話,很容易漏氣被氧化掉,導致出現比較大的頻率偏差。
所以石英晶振的DPPM在200-300之間。(DPPM是defective parts per million的縮寫.是指百萬分比的缺陷率。生產品質術語)
三、MEMS硅晶振的生產工藝。
MEMS硅晶振采用的是標準的半導體工藝制程,Die與封裝都是全自動化流程。從本質上解決了石英晶振的所有風險:
1、 高抗震性:50000G抗震性,石頭上摔、用力踩、鉗子夾是都不會有問題的。
2、 高品質一致性:DPPM為0.15,也就是說一百萬片里面有0.15片的缺陷率。
3、 高精度:普通芯片里面都帶有溫度補償電路,全溫精度保證。
Sitime MEMS 硅晶振可100%兼容石英晶振,無需任何電路更改,可直接替代。
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原文標題:MEMS硅晶振與石英晶振對比簡介
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