以下文章來源于硬件精選筆記 ，作者DTDZ

高側開關就是負載是接地的，開關相對于負載處于高電位，如下圖所示。如果將開關和負載的位置互換，就是低側開關。

①為什么P-MOS作為高側開關更容易實現？

P-MOS作為高側開關的示意圖如下圖所示。要想P-MOS管導通，則Vgs=Vg-Vs＜Vgs（th）（注意這里是小于Vgs（th），因為P-MOS的開啟電壓為負數，為了MOS管導通，P-MOS的開啟電壓越負越容易開通）。

如果選用的P-MOS管型號為IFR9530，其部分參數如下圖所示，為保證MOS管的開啟，至少取柵源開啟電壓Vgs(th)=-4V。

那么使上圖中的P-MOS管導通的柵極電壓應該為：Vgs==Vg-Vs＜-4V→Vg＜Vs-4V=VDD-4V。也就是說為了讓P-MOS導通，只需要控制柵極電壓比電源電壓低4V以上就可以了，這將很容易做到，實際應用中，選擇的Vgs會比-4V更低，Vgs=Vgs(th)其實還并不能完全開通MOS管。

假設電源電壓VDD=12V，驅動器內部控制S2閉合，S1斷開，此時柵源電壓Vgs=-12V,MOS管導通。當控制器控制S1閉合，S2斷開時，柵源電壓Vgs=0V，MOS管斷開。如下圖所示。

因此，控制P-MOS的導通不需要額外的電路，控制簡單。

②為什么N-MOS作為高側開關更難？

當N-MOS作為高側開關時，其示意圖如下圖所示。當N-MOS導通時，源極S的電壓等于電源電壓12V。要想MOS管導通，則柵極電壓至少要比源極電壓高4V，也就是柵極電壓至少要達到16V。但電源電壓只有12V，因此要想控制高側的N-MOS導通，就必須額外增加電源，或者采用自舉升壓電路，使控制變得更為困難。

③是不是應該都選用P-MOS作為高側開關呢？

上面說了，P-MOS作為高側開關更為容易控制，那么如果讓你選擇高側開關的時候，你是不是就會直接選用P-MOS呢？

其實，很多時候，我們都需要選用N-MOS作為高側開關，主要是兩個方面的原因：

第一個就是，N-MOS相較于P-MOS更為便宜；第二個原因就是，N-MOS比P-MOS的導通電阻RDS（on）更低，因此對于快速開關的場合建議使用N-MOS。更低的導通電阻意味著更小的開關損耗，更低的發熱量。

下圖為N-MOS和P-MOS的參數對比。兩者的漏源擊穿電壓都為100V，N-MOS的導通電阻為0.16Ω，而P-MOS的導通電阻為0.3Ω，幾乎是N-MOS的兩倍。