產品概述

1.無內匹配設計，最大化產品的寬帶特性和通用性。

2.依據芯片和封裝的不同組合，功率涵蓋6W-180W等多種檔次,頻率高達6GHz。

3.產品兼容28-32V供電，產品定標于28V。

4.固晶(Die attach)，鍵合(Wire bonding)，封裝(Package)等金屬化環節全面采用金(Au)系統

5.業界標準的封裝形式，產品默認形態為有耳形式(Eared), 可同時滿足焊接和螺釘固定等多種裝配要求。(并提供無耳Earless形式的封裝，具體請咨詢我們)。包括

單端(Single Ended) 器件：MME/GXB

推挽對管(Push Pull)器件：LBB

6.高導熱材料法蘭底座，有效提高產品性能和可靠性

7.產品執行完整的直流和射頻測試，確保性能批量一致性。

8.結溫控制在200攝氏度以下可確保百萬小時量級的平均無故障時間。

產品目錄

應用場景

GaN HEMT (氮化鎵高電子遷移率晶體管) 因其具備的高功率密度、低寄生參數和高截至頻率 (Ft) 等固有特性，可以作為以下場合的器件首選：

3GHz以上所有形式的功率放大器

3GHz以下LDMOS等技術不能滿足的高效率窄帶功率放大器

匹配緊湊或小型化功率放大器

>20%相對帶寬的寬帶功率放大器

超寬帶及倍頻程功率放大器

開關模式或諧波調制方式工作的功率放大器

典型應用：

寬帶及超寬帶通信

移動通信

測試及測量放大器

商業脈沖放大器

線性放大器

工業/科技/醫療

應用要點

1.器件的管腳定義

考慮到和LDMOS產品的兼容性以及絕大多數客戶的使用習慣，器件的輸出管腿,即Drain極默認為有缺角的一側，另外一側為輸入柵極，和市場上的部分品牌不同，請客戶使用時注意。

2.器件的安裝方式建議

通常我們的應用演示電路都采用將器件直接焊接的方式，以獲得最低的整體熱阻并有效降低接地帶來的源極電感，這對于氮化鎵這種高功率密度的器件尤為重要，特別是寬帶高功率等場合應用的時候，我們建議客戶焊接器件使用。如客戶不能焊接器件，必須采用常規螺釘固定等方式的時候，請注意提供有效散熱。

3.如何考慮器件的升壓使用

通常器件是在28V進行性能定標的，如果客戶需要獲得更高的輸出功率或者改善線性等，提高工作電壓是可行手段，例如從28V提升至32V,通常有0.5-1dB的功率提升；在獲得收益的同時，請留意相應提高的散熱壓力等負面因素。我們的器件建議在32V以下使用，如果需要進一步提升電壓，請咨詢我們。

4.如何理解器件的輸出功率

我們對功率輸出能力的標定，考慮了芯片的功率密度以及應用環境等因素，通常以中等帶寬條件下可實現的輸出能力為準。客戶使用場合的不同，會體會到不同的輸出功率。同時，標稱功率均指3dB壓縮條件下的飽和輸出功率。以NME4004H為例，作為一個標稱40W的器件，在窄帶或者點頻使用中，可以實現大于50W的輸出，但應用在倍頻程等超寬帶場合，全頻段的最低輸出能力又會下降到40W以下，例如30W。具體請咨詢我們的技術支持。

5.連續波CW和脈沖應用

器件均支持連續波和脈沖應用，在常見散熱條件下，脈沖功率略高于連續波功率。

6.28V 通用型氮化鎵可以用到移動通信功率放大器中嗎？

可以，在Sub-6GHz所有的應用上，包括移動通信所有的頻段內都可以使用。但是考慮到移動通信的特點，我們針對移動通信常見頻段進行了相應的優化內匹配設計，開發出了更有針對性的產品(Telecom 28V GaN， 另行介紹)。

7.28V 氮化鎵產品使用在較低的HF/VHF頻段合適嗎？

氮化鎵的主要優勢在于高頻和寬帶。在較低的HF/VHF使用氮化鎵，需要額外考慮極高增益帶來的器件穩定性設計。同時可以考慮我們高性能的28V LDMOS，可以獲得與氮化鎵相近的射頻性能。

超寬帶應用范例

NME6003H 150-3000MHz 15W

NU4012H 900-3000MHz 60W