幾類器件慎重采用串并聯(lián)結構設計。繼電器不允許并聯(lián)一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開關類管子(IGBT、三極管、MOSFET等)不用于串聯(lián)結構以解決單只耐壓不足的問題。
原因是:在希望開關管同步導通的時候,實際工作中,兩個的完全同步是做不到的,這種微小的差異會導致的潛在隱患是一只導通,另一只尚未導通時,全部的耐壓會施加到一只管子上去,反而容易導致器件的損壞,這在可靠性模型上其實是容易帶來問題的串聯(lián)模型,并不是我們從功能設計理解上的兩只一起分壓實現(xiàn)的并聯(lián)模型。
通過兩只繼電器并聯(lián)提供較大電流,繼電器的觸點的同步性也是難以保證的,這樣,啟動初期,一直剛導通,另一只還未導通,易引起繼電器觸點粘連。
電容的串聯(lián)是因為電容的容值誤差較大,串聯(lián)使用時,其上的分壓會偏差比較大,所以,最好在每支電容的兩端并上一只電阻(兩只阻值的比值大小與電容的容值比例大小相同,且阻值不要太小,以免靜態(tài)電流大導致靜態(tài)功耗高)
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原文標題:器件串并聯(lián)使用的設計風險
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