精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

基于CMM下開關損耗和反激開關損耗分析以及公式計算

電源聯盟 ? 2018-01-13 09:28 ? 次閱讀

開關損耗計算--反激篇

1、CCM 模式開關損耗

CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。

1.1 導通時的開關損耗

CCM 模式下,開關的導通時的電流與電壓波形如圖 1 所示。

基于CMM下開關損耗和反激開關損耗分析以及公式計算

根據數據給出的原理:當MOS 管接感性負載時,當電流變化時,電壓保持不變;當電壓變化時,電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計算MOS 管的導通時的開關損耗平均值,可得開關導通時的開關損耗為:

基于CMM下開關損耗和反激開關損耗分析以及公式計算

1.1.1 CCM 下反激式開關電源損耗公式

1. I4 電流的確定

先讓我們回顧一下 CCM 模式下輸入電感的電流波形,如圖 2 所示。

由圖 2 可知:I2 為MOS 管導通時的電流,I3 為MOS 管的最大電流。眾所周知,反激式開關電源導通的轉換時間是納秒級的,而導通時間是微秒級的,所以導通時的開關損耗公式中的I4=I2。

2. Vds 電壓的確定

反激電路框圖如圖 3 所示。

在確定 Vds 電壓之前,需要確定幾點原則:

(1)變壓器中有能量時,輸入繞組、輸出繞組至少有一個有電流流過或者兩個都有(電流是變壓器有能量的表現);

(2)輸出二極管導通是需要電壓的,也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf;

(3)電感電流不能突變。

由于電感電流不能突變,輸出繞組必須維持D1 導通的電壓來使電流迅速下降,然后才是輸出繞組電壓方向。所以導通轉換過程中Vds=Vin+Vor。CCM 模式下,反激電源中MOS管導通時的開關損耗公式為:

Vor 為初級繞組上的反射電壓。

再次申明:CCM 模式下的反激式電源,MOS 管導通時的開關損耗計算公式中電壓為(Vin+Vor),而電流為最小電流I2。

1.2 關斷時的開關損耗

關斷轉換過程中的電壓電流波形如圖 4 所示。

根據數據給出的原理:當MOS 管接感性負載時,當電流變化時,電壓保持不變;當電壓變化時,電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計算MOS 管的關斷時的開關損耗平均值,可得開關關斷時的開關損耗為:

基于CMM下開關損耗和反激開關損耗分析以及公式計算

與前面計算開關導通時的開關損耗非常相識,看確有本質的不同。

1. 電流

在正常的反激式開關電源設計中,開關電源導通的轉換時間是納秒級的,而導通時間是微秒級的,所以導通時的開關損耗公式中的Id=I3(電流I3 如圖 2 所示)。

2. 電壓Vds

先上一個反激式漏極尖峰電壓吸收電路,如圖 5 所示,其中的紅色部分。

在確定 Vds 電壓之前,需要確定幾點原則:

(1)變壓器中有能量時,輸入繞組、輸出繞組至少有一個有電流流過或者兩個都有(電流是變壓器有能量的表現);

(2)輸出二極管導通是需要電壓的,也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf;

(3)電感電流不能突變。

有上面的三原則可知,輸出繞組的電壓先上升至Vo,然后輸出整流管D1 導通,這個時候初級的電感電流急劇下降,輸出繞組電流相應上升。而初級漏感尖峰電壓上升速度比納秒級還小,所以可以得出:開關關斷過程損耗計算公式中電壓應該為輸入電壓、電容C 兩端電壓之和。

Vc 為電壓尖峰電路中電容的吸收電壓,其中不僅包含反射電壓,還有漏感導致的尖峰電壓。I3 是輸入電感上面的峰值電流。

2. DCM 模式的開關損耗

DCM 模式是幾乎沒有導通轉換的交越階段損耗,因為這個時候的輸入電流幾乎是為零的。但是還是有關斷交越階段的損耗,這個與前面的 CCM 模式下的一樣。

本文不作總結了,也不會把反激的開關損耗公式列出來。因為結果和公式并不是最重要的,關鍵在于理解和公式是怎么出來的。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • CMM
    CMM
    +關注

    關注

    0

    文章

    19

    瀏覽量

    12565
  • 開關損耗
    +關注

    關注

    1

    文章

    63

    瀏覽量

    13478

原文標題:MOS管的開關損耗分析計算推導

文章出處:【微信號:Power-union,微信公眾號:電源聯盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    PFC MOSFET的開關損耗測試方案

    MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸
    發表于 10-19 10:39 ?1992次閱讀

    功率MOSFET的開關損耗:關斷損耗

    公式計算:同樣,關斷損耗的米勒平臺時間在關斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET,如A管和B管,即使A管的Qg和Ciss小于B管的,但如果A管的Crss比B管的大得多時,A管的
    發表于 03-06 15:19

    MOS管的開關損耗和自身那些參數有關?

    本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯 MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds,而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關,與MOS管的結電容,輸入電容,輸出電容都有關系吧?具體的關系是什么?有沒有具
    發表于 05-31 10:04

    MOS開關損耗計算

    如圖片所示,為什么MOS管的開關損耗(開通和關斷過程中)的損耗是這樣算的,那個72pF應該是MOS的輸入電容,2.5A是開關電源限制的平均電流
    發表于 10-11 10:21

    全SiC功率模塊的開關損耗

    總共可以降低77%。這是前面提到的第一個優勢。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真,是開關頻率為5kHz和30kHz時開關損耗和傳導損耗的總體損耗
    發表于 11-27 16:37

    【干貨】MOSFET開關損耗分析計算

    本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯 本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗,并論述實際狀態功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程
    發表于 01-30 13:20

    開關損耗包括哪幾種

    一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗;關斷損耗
    發表于 10-29 07:10

    準確測量開關損耗的幾個方式

    ,使用下面公式計算: 五、開關損耗分析插件高端示波器通常亦集成了開關損耗分析插件,由于導通狀態電
    發表于 11-18 07:00

    理解功率MOSFET的開關損耗

    理解功率MOSFET的開關損耗 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程
    發表于 10-25 15:30 ?3444次閱讀

    MOSFET開關損耗分析

    為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題,通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖,定位了MOSFET 開關損耗的來源,進而為緩啟動電路設計優化,減少MOSFET的
    發表于 01-04 14:59 ?42次下載

    使用示波器測量電源開關損耗

    使用示波器測量電源開關損耗
    發表于 05-05 09:49 ?0次下載

    如何準確的測量開關損耗

    一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的
    發表于 06-27 10:22 ?2327次閱讀

    功率MOSFET的開關損耗分析

    功率MOSFET的開關損耗分析
    發表于 04-16 14:17 ?49次下載

    開關損耗原理分析

    一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗;關斷損耗
    發表于 10-22 10:51 ?11次下載
    <b class='flag-5'>開關損耗</b>原理<b class='flag-5'>分析</b>

    影響MOSFET開關損耗的因素

    MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的開關損耗是電子工程中一個關鍵的性能參數,它直接影響到電路的效率、熱設計和可靠性。下面將詳細闡述MOSFET開關損耗的概念、組
    的頭像 發表于 09-14 16:11 ?578次閱讀