英諾賽科近日宣布,其VGaN系列再添新成員——30V新品INV030FQ012A。這款產品的推出,標志著VGaN產品的電壓范圍得到了進一步拓寬。
INV030FQ012A采用了FCQFN 4mm*6mm封裝,體積小巧,便于集成。在電路設計中,使用一顆VGaN即可替代傳統(tǒng)方案中的兩顆共漏連接的背靠背NMOS,從而有效降低了占板面積,為系統(tǒng)板的小型化提供了有力支持。
該產品主要應用于過流保護和負載開關等場景。其超低導通電阻和寬SOA(安全工作區(qū))等特性,使得INV030FQ012A在應用中展現(xiàn)出低損耗和耐短路沖擊的顯著優(yōu)勢。這些特點不僅提升了電路的性能,還進一步增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
英諾賽科表示,INV030FQ012A的推出將為客戶提供更多樣化的選擇,滿足不同應用場景的需求。未來,英諾賽科將繼續(xù)致力于VGaN產品的研發(fā)和創(chuàng)新,為行業(yè)帶來更多優(yōu)質產品和技術解決方案。
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